Tib Pwosesis Difizyon Silisyòm Carbide SiC

Tib Pwosesis Difizyon Silisyòm Carbide SiC

Tib founo difizyon Silisyòm Carbidese konpozan kle yo itilize nan semi-kondiktè, tretman chalè tanperati ki wo, ak pwosesis preparasyon materyèl. Yo prensipalman itilize kòm sipò ak chanm reyaksyon pou founo difizyon oswa founo oksidasyon, pou fè pwosesis tankou reyaksyon atmosferik, oksidasyon, difizyon, ak rekwi nan anviwònman tanperati ki wo, trè koroziv.
VET Energy espesyalize nan konsepsyon ak fabrikasyon tib Silisyòm carbure (SiC) pou aplikasyon semi-kondiktè ki reziste tanperati ki wo ak korozivite. Avèk enstalasyon pwodiksyon avanse ak teknoloji propriétaires CVD ak sinterizasyon, nou delivre tib ki prezante ekselan estabilite tèmik, rezistans oksidasyon, ak yon lavi sèvis ki long.

Avantaj tib SiC VET Energy yo:

Pite Ultra-Segondè:Pwodui lè l sèvi avèk yon pwosesis sinterizasyon espesyal, enpurte metal danjere yo (tankou Na, K, Fe, ak Al) yo redwi a nivo ppb.
Ekstrèmman ba degazaj:Anba anviwònman ki gen gwo tanperati ak gwo vakyòm, degazaj la pi ba anpil pase sa ki nan kwatz, sa ki anpeche kontaminasyon chanm pwosesis la efektivman, asire kalite intrinsèk fim mens depoze yo oswa kwasans kristal la, epi amelyore anpil sede pwodwi a (sitou kritik pou epitaksi SiC, kwasans GaN, ak pwodiksyon silikon monokristal wo nivo).
Estabilite nan tanperati ki wo:Tanperati fonksyònman alontèm ki depase 1600°C (byen pi wo pase pwen ramolisman kwatz la, apeprè 1200°C) posib, epi tanperati kout tèm yo ka reziste tanperati ki pi wo toujou (tankou 1800°C), sa ki satisfè egzijans tanperati ultra-wo pou semi-kondiktè twazyèm jenerasyon yo ak pwosesis kwasans kristal yo.
Rezistans korozyon chimik:Trè rezistan a gaz trè koroziv tankou HCl, Cl₂, ak HF, osi byen ke silikon fonn ak vapè metal, kenbe entegrite estriktirèl ak fini sifas nan atmosfè konplèks tankou CVD, difizyon, oksidasyon, ak grave, ak yon dire lavi ki depase byen lwen tib founo kwatz yo.
Ekselan konduktivite tèmik:Konduktivite tèmik li plizyè douzèn fwa pi gran pase sa ki nan kwatz, sa ki pèmèt yon distribisyon tanperati founo ki pi rapid e pi inifòm epi ki amelyore inifòmite ak repetabilite pwosesis la. Sa a patikilyèman enpòtan pou pwosesis gwo sifas ak plizyè wafer (pa egzanp, founo difizyon fotovoltaik ak reaktè MOCVD).
Estabilite dimansyonèl:Koyefisyan ekspansyon tèmik li ki ba anpil asire tib founo a kenbe yon jeyometri trè estab menm lè li sibi chanjman tanperati repete ak radikal, sa ki anpeche echèk sele oswa konsantrasyon estrès ki koze pa ekspansyon ak kontraksyon tèmik.
Durabilite:Gwo dite ak fòs li bay tib founo a ekselan pwopriyete mekanik, sa ki fè li rezistan a defòmasyon ak domaj.

Aplikasyon tipik:

Fabrikasyon semi-kondiktè:Kwasans epitaksyal SiC/GaN (MOCVD, HTCVD), epitaksi ki baze sou silikon, difizyon/oksidasyon/rekwit nan tanperati ki wo (RTP), ak LPCVD.

Endistri fotovoltaik:Difizyon nan tanperati ki wo (difizyon fosfò/bor) ak rekwit selil solè silikon cristalline.