Кремний карбидинин SiC диффузия процессинин түтүгү

Кремний карбидинин SiC диффузия процессинин түтүгү

Кремний карбидинин диффузиялык мешинин түтүктөрүжарым өткөргүчтөрдө, жогорку температурадагы жылуулук менен иштетүүдө жана материалдарды даярдоо процесстеринде колдонулган негизги компоненттер болуп саналат. Алар негизинен диффузиялык мештер же кычкылдандыруучу мештер үчүн таяныч жана реакция камерасы катары колдонулат, атмосфералык реакция, кычкылдануу, диффузия жана күйгүзүү сыяктуу процесстерди жогорку температурадагы, жогорку коррозиялык чөйрөлөрдө аткарат.
VET Energy жогорку температурадагы жана коррозияга туруктуу жарым өткөргүчтөр үчүн кремний карбид (SiC) түтүкчөлөрүн долбоорлоого жана өндүрүүгө адистешкен. Өркүндөтүлгөн өндүрүштүк жабдуулар жана патенттелген CVD жана бышыруу технологиялары менен биз эң сонун жылуулук туруктуулугуна, кычкылданууга туруктуулугуна жана узак кызмат мөөнөтүнө ээ түтүкчөлөрдү жеткиребиз.

VET Energy компаниясынын SiC түтүктөрүнүн артыкчылыктары:

Өтө жогорку тазалык:Атайын бышыруу процесси аркылуу өндүрүлгөн зыяндуу металл кошулмалары (мисалы, Na, K, Fe жана Al) ppb деңгээлине чейин төмөндөйт.
Өтө аз газ бөлүнүп чыгуусу:Жогорку температурадагы, жогорку вакуумдук чөйрөлөрдө газдан арылуу кварцка караганда бир топ төмөн, бул процесстик камеранын булганышынын алдын алат, чөкмө жука пленкалардын же кристаллдардын өсүшүнүн ички сапатын камсыздайт жана продукциянын чыгышын бир топ жакшыртат (айрыкча SiC эпитаксиясы, GaN өсүшү жана жогорку класстагы монокристаллдык кремний өндүрүү үчүн маанилүү).
Жогорку температурадагы туруктуулук:Узак мөөнөттүү иштөө температурасы 1600°C ашышы мүмкүн (кварцтын жумшаруу температурасынан бир топ жогору, болжол менен 1200°C), ал эми кыска мөөнөттүү температура андан да жогорку температурага (мисалы, 1800°C) туруштук бере алат, бул үчүнчү муундагы жарым өткөргүчтөрдүн жана кристалл өстүрүү процесстеринин өтө жогорку температура талаптарын канааттандырат.
Химиялык коррозияга туруктуулук:HCl, Cl₂ жана HF сыяктуу жогорку коррозиялык газдарга, ошондой эле эриген кремнийге жана металл буусуна жогорку деңгээлде туруктуу, CVD, диффузия, кычкылдануу жана оюу сыяктуу татаал атмосфераларда структуралык бүтүндүктү жана беттик жасалгалоону сактайт, ошондой эле кварц мешинин түтүктөрүнүн кызмат мөөнөтүн бир топ жогорулатат.
Эң сонун жылуулук өткөрүмдүүлүгү:Анын жылуулук өткөрүмдүүлүгү кварцтыкына караганда ондогон эсе жогору, бул мештин температурасын тезирээк жана бирдей бөлүштүрүүгө мүмкүндүк берет жана процесстин бирдейлигин жана кайталанышын жакшыртат. Бул өзгөчө чоң аянттагы, көп пластиналуу иштетүү үчүн абдан маанилүү (мисалы, фотоэлектрдик диффузиялык мештер жана MOCVD реакторлору).
Өлчөмдүү туруктуулук:Анын жылуулук кеңейүү коэффициенти өтө төмөн болгондуктан, ал меш түтүгүнүн кайталануучу жана кескин температура өзгөрүүлөрүнө дуушар болгондо да жогорку деңгээлде туруктуу геометриясын сактап, жылуулук кеңейүү жана кысылуудан улам пломбанын бузулушуна же стресстин концентрациясына жол бербейт.
Бышыктыгы:Анын жогорку катуулугу жана бекемдиги меш түтүгүнө эң сонун механикалык касиеттерди берет, бул аны деформацияга жана бузулууга туруктуу кылат.

Типтүү колдонуу:

Жарым өткөргүчтөрдү өндүрүү:SiC/GaN эпитаксиалдык өсүшү (MOCVD, HTCVD), кремний негизиндеги эпитаксия, жогорку температурадагы диффузия/кычкылдануу/күйгүзүү (RTP) жана LPCVD.

Фотоэлектрдик өнөр жай:Кристаллдык кремний күн батареяларын жогорку температурада диффузиялоо (фосфор/бор диффузиясы) жана күйгүзүү.