Silisiumkarbid SiC diffusjonsprosessrør

Silisiumkarbid SiC diffusjonsprosessrør

Rør for diffusjonsovn av silisiumkarbider nøkkelkomponenter som brukes i halvledere, høytemperaturvarmebehandling og materialforberedelsesprosesser. De brukes primært som støtte- og reaksjonskammer for diffusjonsovner eller oksidasjonsovner, og utfører prosesser som atmosfærisk reaksjon, oksidasjon, diffusjon og gløding i høytemperatur, svært korrosive miljøer.
VET Energy spesialiserer seg på design og produksjon av silisiumkarbid (SiC)-rør for høytemperatur- og korrosive halvlederapplikasjoner. Med avanserte produksjonsanlegg og proprietære CVD- og sintringsteknologier leverer vi rør som har utmerket termisk stabilitet, oksidasjonsmotstand og lang levetid.

Fordeler med VET Energys SiC-rør:

Ultrahøy renhet:Produsert ved hjelp av en spesiell sintringsprosess, reduseres skadelige metallurenheter (som Na, K, Fe og Al) til ppb-nivået.
Ekstremt lav avgassing:Under høytemperatur- og høyvakuummiljøer er avgassingen langt lavere enn for kvarts, noe som effektivt forhindrer forurensning av prosesskammeret, sikrer den iboende kvaliteten til avsatte tynne filmer eller krystallvekst, og forbedrer produktutbyttet betydelig (spesielt kritisk for SiC-epitaksi, GaN-vekst og produksjon av avanserte enkeltkrystallsilisium).
Høytemperaturstabilitet:Langsiktige driftstemperaturer på over 1600 °C (godt over mykningspunktet for kvarts, omtrent 1200 °C) er mulige, og kortsiktige temperaturer kan tåle enda høyere temperaturer (som 1800 °C), og oppfyller dermed kravene til ultrahøye temperaturer for tredjegenerasjons halvledere og krystallvekstprosesser.
Kjemisk korrosjonsbestandighet:Svært motstandsdyktig mot svært korrosive gasser som HCl, Cl₂ og HF, samt smeltet silisium og metalldamp, og opprettholder strukturell integritet og overflatefinish i komplekse atmosfærer som CVD, diffusjon, oksidasjon og etsning, med en levetid som langt overgår kvartsovnsrør.
Utmerket varmeledningsevne:Dens varmeledningsevne er dusinvis ganger større enn kvarts, noe som muliggjør raskere og mer jevn temperaturfordeling i ovnen og forbedrer prosessens ensartethet og repeterbarhet. Dette er spesielt kritisk for store arealer med flere wafere (f.eks. fotovoltaiske diffusjonsovner og MOCVD-reaktorer).
Dimensjonsstabilitet:Den ekstremt lave termiske utvidelseskoeffisienten sikrer at ovnsrøret opprettholder en svært stabil geometri selv når det utsettes for gjentatte og drastiske temperatursvingninger, noe som forhindrer tetningssvikt eller spenningskonsentrasjon forårsaket av termisk utvidelse og sammentrekning.
Varighet:Den høye hardheten og styrken gir ovnsrøret utmerkede mekaniske egenskaper, noe som gjør det motstandsdyktig mot deformasjon og skade.

Typisk bruk:

Halvlederproduksjon:SiC/GaN epitaksialvekst (MOCVD, HTCVD), silisiumbasert epitaksi, høytemperaturdiffusjon/oksidasjon/gløding (RTP) og LPCVD.

Fotovoltaisk industri:Høytemperaturdiffusjon (fosfor/bor-diffusjon) og gløding av krystallinske silisiumsolceller.