Tubo per processo di diffusione in carburo di silicio (SiC)

Tubo per processo di diffusione in carburo di silicio (SiC)

Tubi per forno a diffusione in carburo di silicioSono componenti chiave utilizzati nei processi di produzione di semiconduttori, trattamenti termici ad alta temperatura e preparazione dei materiali. Vengono impiegati principalmente come supporto e camera di reazione per forni a diffusione o forni a ossidazione, eseguendo processi quali reazione atmosferica, ossidazione, diffusione e ricottura in ambienti ad alta temperatura e altamente corrosivi.
VET Energy è specializzata nella progettazione e produzione di tubi in carburo di silicio (SiC) per applicazioni a semiconduttore ad alta temperatura e in ambienti corrosivi. Grazie a impianti di produzione all'avanguardia e a tecnologie proprietarie di CVD e sinterizzazione, forniamo tubi caratterizzati da eccellente stabilità termica, resistenza all'ossidazione e lunga durata.

Vantaggi dei tubi in SiC di VET Energy:

Purezza ultraelevata:Prodotto mediante uno speciale processo di sinterizzazione, le impurità metalliche nocive (come Na, K, Fe e Al) vengono ridotte al livello di ppb.
Emissioni di gas estremamente basse:In ambienti ad alta temperatura e alto vuoto, il degassamento è di gran lunga inferiore a quello del quarzo, prevenendo efficacemente la contaminazione della camera di processo, garantendo la qualità intrinseca dei film sottili depositati o della crescita cristallina e migliorando significativamente la resa del prodotto (aspetto particolarmente critico per l'epitassia del SiC, la crescita del GaN e la produzione di silicio monocristallino di fascia alta).
Stabilità alle alte temperature:Sono possibili temperature di esercizio a lungo termine superiori a 1600 °C (ben al di sopra del punto di rammollimento del quarzo, pari a circa 1200 °C), e temperature a breve termine possono sopportare valori ancora più elevati (come 1800 °C), soddisfacendo i requisiti di altissima temperatura dei semiconduttori di terza generazione e dei processi di crescita dei cristalli.
Resistenza alla corrosione chimica:Altamente resistente a gas altamente corrosivi come HCl, Cl₂ e HF, nonché a silicio fuso e vapori metallici, mantiene l'integrità strutturale e la finitura superficiale in atmosfere complesse come CVD, diffusione, ossidazione e incisione, con una durata di vita di gran lunga superiore a quella dei tubi di quarzo per forni.
Eccellente conducibilità termica:La sua conduttività termica è decine di volte superiore a quella del quarzo, consentendo una distribuzione della temperatura del forno più rapida e uniforme e migliorando l'uniformità e la ripetibilità del processo. Ciò è particolarmente importante per la lavorazione di grandi superfici e di più wafer (ad esempio, forni a diffusione fotovoltaica e reattori MOCVD).
Stabilità dimensionale:Il suo coefficiente di dilatazione termica estremamente basso garantisce che il tubo del forno mantenga una geometria altamente stabile anche se sottoposto a ripetute e drastiche fluttuazioni di temperatura, prevenendo cedimenti della tenuta o concentrazioni di stress causate dalla dilatazione e contrazione termica.
Durata:La sua elevata durezza e resistenza conferiscono al tubo del forno eccellenti proprietà meccaniche, rendendolo resistente a deformazioni e danni.

Applicazione tipica:

Produzione di semiconduttori:Crescita epitassiale SiC/GaN (MOCVD, HTCVD), epitassia a base di silicio, diffusione/ossidazione/ricottura ad alta temperatura (RTP) e LPCVD.

Industria fotovoltaica:Diffusione ad alta temperatura (diffusione di fosforo/boro) e ricottura di celle solari in silicio cristallino.