Tiwb Proses Trylediad Silicon Carbid SiC

Tiwb Proses Trylediad Silicon Carbid SiC

Tiwbiau Ffwrnais Trylediad Silicon Carbidyn gydrannau allweddol a ddefnyddir mewn prosesau lled-ddargludyddion, triniaeth gwres tymheredd uchel, a pharatoi deunyddiau. Fe'u defnyddir yn bennaf fel y siambr gefnogi ac adwaith ar gyfer ffwrneisi trylediad neu ffwrneisi ocsideiddio, gan gyflawni prosesau fel adwaith atmosfferig, ocsideiddio, trylediad, ac anelio mewn amgylcheddau tymheredd uchel, cyrydol iawn.
Mae VET Energy yn arbenigo mewn dylunio a gweithgynhyrchu tiwbiau silicon carbid (SiC) ar gyfer cymwysiadau lled-ddargludyddion tymheredd uchel a chyrydol. Gyda chyfleusterau cynhyrchu uwch a thechnolegau CVD a sinteru perchnogol, rydym yn darparu tiwbiau sy'n cynnwys sefydlogrwydd thermol rhagorol, ymwrthedd i ocsideiddio, a bywyd gwasanaeth hir.

Manteision tiwbiau SiC VET Energy:

Purdeb Ultra-Uchel:Wedi'i gynhyrchu gan ddefnyddio proses sinteru arbennig, mae amhureddau metel niweidiol (fel Na, K, Fe, ac Al) yn cael eu lleihau i lefel ppb.
Allnwyo Eithriadol o Isel:O dan amgylcheddau tymheredd uchel a gwactod uchel, mae all-nwyo yn llawer is nag all-nwyo cwarts, gan atal halogiad siambr y broses yn effeithiol, sicrhau ansawdd cynhenid ​​ffilmiau tenau a adneuwyd neu dwf crisial, a gwella cynnyrch cynnyrch yn sylweddol (yn arbennig o hanfodol ar gyfer epitacsi SiC, twf GaN, a chynhyrchu silicon crisial sengl o'r radd flaenaf).
Sefydlogrwydd Tymheredd Uchel:Mae tymereddau gweithredu hirdymor sy'n fwy na 1600°C (ymhell uwchlaw pwynt meddalu cwarts, tua 1200°C) yn bosibl, a gall tymereddau tymor byr wrthsefyll tymereddau hyd yn oed yn uwch (megis 1800°C), gan fodloni gofynion tymheredd uwch-uchel lled-ddargludyddion trydydd cenhedlaeth a phrosesau twf crisialau.
Gwrthiant Cyrydiad Cemegol:Yn gallu gwrthsefyll nwyon cyrydol iawn fel HCl, Cl₂, a HF, yn ogystal â silicon tawdd ac anwedd metel, gan gynnal cyfanrwydd strwythurol a gorffeniad arwyneb mewn atmosfferau cymhleth fel CVD, trylediad, ocsideiddio ac ysgythru, gyda hyd oes sy'n llawer mwy na hyd oes tiwbiau ffwrnais cwarts.
Dargludedd Thermol Rhagorol:Mae ei ddargludedd thermol dwsinau gwaith yn fwy na dargludedd cwarts, gan alluogi dosbarthiad tymheredd ffwrnais cyflymach a mwy unffurf a gwella unffurfiaeth a gallu ailadrodd prosesau. Mae hyn yn arbennig o hanfodol ar gyfer prosesu aml-wafer arwynebedd mawr (e.e., ffwrneisi trylediad ffotofoltäig ac adweithyddion MOCVD).
Sefydlogrwydd Dimensiynol:Mae ei gyfernod ehangu thermol hynod isel yn sicrhau bod tiwb y ffwrnais yn cynnal geometreg sefydlog iawn hyd yn oed pan fydd yn destun amrywiadau tymheredd dro ar ôl tro a sylweddol, gan atal methiant sêl neu grynodiad straen a achosir gan ehangu a chrebachu thermol.
Gwydnwch:Mae ei galedwch a'i gryfder uchel yn rhoi priodweddau mecanyddol rhagorol i'r tiwb ffwrnais, gan ei wneud yn gallu gwrthsefyll anffurfiad a difrod.

Cymhwysiad Nodweddiadol:

Gweithgynhyrchu Lled-ddargludyddion:Twf epitacsial SiC/GaN (MOCVD, HTCVD), epitacsi seiliedig ar silicon, trylediad/ocsidiad/anelio tymheredd uchel (RTP), ac LPCVD.

Diwydiant Ffotofoltäig:Trylediad tymheredd uchel (trylediad ffosfforws/boron) ac anelio celloedd solar silicon crisialog.