Silīcija karbīda SiC difūzijas procesa caurule

Silīcija karbīda SiC difūzijas procesa caurule

Silīcija karbīda difūzijas krāsns caurulesir galvenās sastāvdaļas, ko izmanto pusvadītāju, augstas temperatūras termiskās apstrādes un materiālu sagatavošanas procesos. Tās galvenokārt tiek izmantotas kā atbalsta un reakcijas kameras difūzijas krāsnīm vai oksidācijas krāsnīm, veicot tādus procesus kā atmosfēras reakcija, oksidēšana, difūzija un atkvēlināšana augstas temperatūras un ļoti korozīvā vidē.
VET Energy specializējas silīcija karbīda (SiC) cauruļu projektēšanā un ražošanā augstas temperatūras un korozīviem pusvadītāju lietojumiem. Pateicoties modernām ražošanas iekārtām un patentētām CVD un sintēšanas tehnoloģijām, mēs piegādājam caurules, kurām ir lieliska termiskā stabilitāte, izturība pret oksidēšanos un ilgs kalpošanas laiks.

VET Energy SiC lampu priekšrocības:

Īpaši augsta tīrība:Izgatavots, izmantojot īpašu sintēšanas procesu, kaitīgo metālu piemaisījumu (piemēram, Na, K, Fe un Al) daudzums tiek samazināts līdz ppb līmenim.
Īpaši zema gāzu izdalīšanās:Augstas temperatūras un augsta vakuuma vidē gāzu izdalīšanās ir daudz mazāka nekā kvarcam, efektīvi novēršot procesa kameras piesārņojumu, nodrošinot nogulsnēto plāno plēvju vai kristālu augšanas iekšējo kvalitāti un ievērojami uzlabojot produkta ražu (īpaši svarīgi SiC epitaksijai, GaN augšanai un augstas klases monokristāla silīcija ražošanai).
Augstas temperatūras stabilitāte:Ir iespējamas ilgstošas ​​darba temperatūras, kas pārsniedz 1600 °C (krietni virs kvarca mīkstināšanas temperatūras, aptuveni 1200 °C), un īslaicīgas temperatūras var izturēt vēl augstākas temperatūras (piemēram, 1800 °C), atbilstot trešās paaudzes pusvadītāju un kristālu augšanas procesu īpaši augstas temperatūras prasībām.
Ķīmiskā korozijas izturība:Augsta izturība pret ļoti kodīgām gāzēm, piemēram, HCl, Cl₂ un HF, kā arī pret izkausētu silīciju un metāla tvaikiem, saglabājot strukturālo integritāti un virsmas apdari sarežģītās atmosfērās, piemēram, CVD, difūzijas, oksidācijas un kodināšanas apstākļos, un to kalpošanas laiks ievērojami pārsniedz kvarca krāsns cauruļu kalpošanas laiku.
Lieliska siltumvadītspēja:Tā siltumvadītspēja ir desmitiem reižu lielāka nekā kvarcam, kas nodrošina ātrāku un vienmērīgāku krāsns temperatūras sadalījumu un uzlabo procesa vienmērīgumu un atkārtojamību. Tas ir īpaši svarīgi liela laukuma, vairāku vafeļu apstrādei (piemēram, fotoelektriskajām difūzijas krāsnīm un MOCVD reaktoriem).
Izmēru stabilitāte:Tā ārkārtīgi zemais termiskās izplešanās koeficients nodrošina, ka krāsns caurule saglabā ļoti stabilu ģeometriju pat atkārtotu un krasu temperatūras svārstību ietekmē, novēršot blīvējuma bojājumus vai sprieguma koncentrāciju, ko izraisa termiskā izplešanās un saraušanās.
Izturība:Augstā cietība un izturība piešķir krāsns caurulei lieliskas mehāniskās īpašības, padarot to izturīgu pret deformāciju un bojājumiem.

Tipisks pielietojums:

Pusvadītāju ražošana:SiC/GaN epitaksiālā augšana (MOCVD, HTCCVD), uz silīcija bāzes veidota epitaksija, augstas temperatūras difūzija/oksidācija/atkvēlināšana (RTP) un LPCVD.

Fotoelektriskā rūpniecība:Kristāliskā silīcija saules bateriju difūzija augstā temperatūrā (fosfora/bora difūzija) un atkvēlināšana.