Fantsona dingana fanaparitahana silikônina karbida sic

Fantsona dingana fanaparitahana silikônina karbida sic

Fantsona fatana fandoroana silikônina karbidaIreo singa fototra ampiasaina amin'ny semiconductor, fitsaboana amin'ny hafanana avo lenta, ary ny fanomanana fitaovana. Ampiasaina voalohany indrindra ho toy ny efitrano fanohanana sy fihetsehana ho an'ny lafaoro diffusion na lafaoro oxidation izy ireo, izay manatanteraka dingana toy ny fihetsehana atmosfera, oxidation, diffusion, ary fanafanana amin'ny tontolo mafana avo lenta sy harafesina be.
Manam-pahaizana manokana amin'ny famolavolana sy fanamboarana fantsona silicon carbide (SiC) ho an'ny fampiasana semiconductor amin'ny mari-pana avo sy harafesina ny VET Energy. Miaraka amin'ny toeram-pamokarana mandroso sy ny teknolojia CVD sy sintering manokana, dia manolotra fantsona izay manana fahamarinan-toerana mafana tsara, fanoherana ny oksidasiona ary androm-piainana maharitra izahay.

Tombony azo avy amin'ny fantsona SiC an'ny VET Energy:

Fahadiovana avo lenta:Vokatra amin'ny alalan'ny dingana sintering manokana, dia ahena ho amin'ny ambaratonga ppb ny loto metaly manimba (toy ny Na, K, Fe, ary Al).
Famoahana entona ambany dia ambany:Ao anatin'ny tontolo iainana misy mari-pana avo sy banga avo, ny fivoahan'ny entona dia ambany lavitra noho ny an'ny quartz, izay misoroka tsara ny fahalotoan'ny efitrano fanodinana, miantoka ny kalitaon'ny sarimihetsika manify napetraka na ny fitomboan'ny kristaly, ary manatsara be ny vokatra azo (indrindra fa tena ilaina amin'ny epitaxy SiC, ny fitomboan'ny GaN, ary ny famokarana silikônina kristaly tokana avo lenta).
Fahamarinan'ny mari-pana avo:Azo atao ny mampiasa mari-pana maharitra mihoatra ny 1600°C (ambony lavitra noho ny teboka fanalefahana ny quartz, eo amin'ny 1200°C eo ho eo), ary ny mari-pana fohy dia afaka mahazaka mari-pana ambony kokoa aza (toy ny 1800°C), ka mahafeno ny fepetra takian'ny semiconductors taranaka fahatelo sy ny fizotran'ny fitomboan'ny kristaly amin'ny mari-pana avo dia avo.
Fanoherana ny harafesina simika:Mahatohitra tsara ireo entona manimba be toy ny HCl, Cl₂, ary HF, ary koa ny silisiôma mitsonika sy ny etona metaly, mitazona ny fahamarinan'ny rafitra sy ny fahavitan'ny ety ambonin'ny atmosfera sarotra toy ny CVD, diffusion, oxidation, ary etching, miaraka amin'ny androm-piainana mihoatra lavitra noho ny an'ny fantsona lafaoro quartz.
Fitondran-tena mafana tsara dia tsara:Avo am-polony heny noho ny an'ny quartz ny conductivity mafanany, ka ahafahana mizara haingana sy mitovy kokoa ny mari-pana ao anaty lafaoro ary manatsara ny fitoviana sy ny fahafaha-miverimberina ny fizotran'ny asa. Tena ilaina indrindra izany ho an'ny fanodinana wafer maro faritra (ohatra, lafaoro diffusion photovoltaic sy reactors MOCVD).
Fahamarinan'ny refy:Ny coefficient-n'ny fivelaran'ny hafanana ambany dia ambany dia miantoka fa ny fantsona lafaoro dia mitazona jeometrika marin-toerana na dia iharan'ny fiovaovan'ny mari-pana miverimberina sy mahery vaika aza, misoroka ny fahasimban'ny tombo-kase na ny fifantohana amin'ny tsindry vokatry ny fivelarana sy ny fihenan'ny hafanana.
Faharetana:Ny hamafiny sy ny tanjany avo dia manome ny fantson-drano ho toetra mekanika tena tsara, mahatonga azy ho mahatohitra ny fiovaovan'ny endrika sy ny fahasimbana.

Fampiharana mahazatra:

Fanamboarana Semiconductor:Fitomboana epitaxial SiC/GaN (MOCVD, HTCVD), epitaxy mifototra amin'ny silikônina, diffusion/oxidation/annealing amin'ny mari-pana avo (RTP), ary LPCVD.

Indostrian'ny fotovoltaika:Fiparitahana amin'ny mari-pana avo (fiparitahan'ny phosphore/bôre) sy fanafanana ny sela masoandro silisiôma kristaly.