ဆီလီကွန်ကာဗိုက် SiC ပျံ့နှံ့မှုလုပ်ငန်းစဉ်ပြွန်

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် SiC ပျံ့နှံ့မှုလုပ်ငန်းစဉ်ပြွန်

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပျံ့နှံ့မီးဖိုပြွန်များသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ အပူချိန်မြင့် အပူကုသမှုနှင့် ပစ္စည်းပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အသုံးပြုသော အဓိကအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့ကို အဓိကအားဖြင့် ပျံ့နှံ့မီးဖိုများ သို့မဟုတ် အောက်ဆီဒေးရှင်းမီးဖိုများအတွက် အထောက်အပံ့နှင့် တုံ့ပြန်မှုအခန်းအဖြစ် အသုံးပြုကြပြီး အပူချိန်မြင့်ပြီး အလွန်ချေးများသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် လေထုဓာတ်ပြုမှု၊ အောက်ဆီဒေးရှင်း၊ ပျံ့နှံ့မှုနှင့် အပူပေးခြင်းကဲ့သို့သော လုပ်ငန်းစဉ်များကို လုပ်ဆောင်ကြသည်။
VET Energy သည် အပူချိန်မြင့်မားပြီး ချေးတက်လွယ်သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအသုံးချမှုများအတွက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ပြွန်များကို ဒီဇိုင်းဆွဲခြင်းနှင့် ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် အထူးပြုပါသည်။ အဆင့်မြင့်ထုတ်လုပ်မှုစက်ရုံများနှင့် မူပိုင်ခွင့်ရ CVD နှင့် sintering နည်းပညာများဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့သည် အပူချိန်တည်ငြိမ်မှု၊ အောက်ဆီဒေးရှင်းခံနိုင်ရည်နှင့် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း ကောင်းမွန်သော ပြွန်များကို ပို့ဆောင်ပေးပါသည်။

VET Energy ရဲ့ SiC ပြွန်တွေရဲ့ အားသာချက်တွေကတော့ -

အလွန်မြင့်မားသော သန့်စင်မှု-အထူး sintering လုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်ထားသော၊ အန္တရာယ်ရှိသော သတ္တုမသန့်စင်မှုများ (Na၊ K၊ Fe နှင့် Al ကဲ့သို့) ကို ppb အဆင့်အထိ လျှော့ချပါသည်။
ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်မှု အလွန်နည်းပါးခြင်း-အပူချိန်မြင့်မားပြီး လေဟာနယ်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်အောက်တွင်၊ ထွက်ရှိသောဓာတ်ငွေ့သည် ကွာ့ဇ်ထက် များစွာနိမ့်ကျပြီး လုပ်ငန်းစဉ်အခန်းညစ်ညမ်းမှုကို ထိရောက်စွာကာကွယ်ပေးပြီး၊ စုပုံနေသော အလွှာပါးများ သို့မဟုတ် ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု၏ ပင်ကိုယ်အရည်အသွေးကို သေချာစေပြီး ထုတ်ကုန်အထွက်နှုန်းကို သိသိသာသာတိုးတက်စေသည် (အထူးသဖြင့် SiC epitaxy၊ GaN ကြီးထွားမှုနှင့် အဆင့်မြင့် single-crystal silicon ထုတ်လုပ်မှုအတွက် အရေးကြီးသည်)။
အပူချိန်မြင့် တည်ငြိမ်မှု-1600°C ထက်ကျော်လွန်သော ရေရှည်လည်ပတ်မှုအပူချိန်များ (ကွာ့ဇ်၏ ပျော့ပျောင်းသည့်အမှတ်အထက်၊ ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 1200°C) ဖြစ်နိုင်ပြီး၊ ရေတိုအပူချိန်များသည် ပိုမိုမြင့်မားသော အပူချိန်များ (ဥပမာ 1800°C ကဲ့သို့) ကိုပင် ခံနိုင်ရည်ရှိကာ တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများနှင့် ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်များ၏ အလွန်မြင့်မားသော အပူချိန်လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးပါသည်။
ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ချေးခံနိုင်ရည်ရှိမှုHCl၊ Cl₂ နှင့် HF ကဲ့သို့သော အလွန်အမင်း ချေးတက်စေသော ဓာတ်ငွေ့များအပြင် အရည်ပျော် ဆီလီကွန်နှင့် သတ္တုအငွေ့များကို အလွန်အမင်း ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး CVD၊ ပျံ့နှံ့မှု၊ အောက်ဆီဒေးရှင်းနှင့် ထွင်းထုခြင်းကဲ့သို့သော ရှုပ်ထွေးသော လေထုများတွင် ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ တည်တံ့မှုနှင့် မျက်နှာပြင် အပြီးသတ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားပြီး ကွာ့ဇ် မီးဖိုပြွန်များ၏ သက်တမ်းထက် များစွာ ကျော်လွန်ပါသည်။
အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးနိုင်စွမ်း:၎င်း၏ အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းသည် ကွာ့ဇ်ထက် အဆပေါင်းများစွာ ပိုများပြီး မီးဖိုအပူချိန် ဖြန့်ဖြူးမှုကို ပိုမိုမြန်ဆန်စွာနှင့် ပိုမိုတသမတ်တည်းဖြစ်စေကာ လုပ်ငန်းစဉ် တစ်သမတ်တည်းဖြစ်မှုနှင့် ထပ်ခါတလဲလဲဖြစ်မှုကို တိုးတက်စေသည်။ ၎င်းသည် ဧရိယာကျယ်၊ multi-wafer လုပ်ဆောင်ခြင်း (ဥပမာ၊ photovoltaic diffusion furnaces နှင့် MOCVD reactors) အတွက် အထူးအရေးကြီးပါသည်။
အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှု:၎င်း၏ အပူချဲ့ထွင်မှု အလွန်နည်းပါးသော ကိန်းက မီးဖိုပြွန်သည် ထပ်ခါတလဲလဲ ပြင်းထန်သော အပူချိန်အတက်အကျများကို ခံရသည့်တိုင် အလွန်တည်ငြိမ်သော ဂျီသြမေတြီကို ထိန်းသိမ်းထားကြောင်း သေချာစေပြီး၊ အပူချဲ့ထွင်ခြင်းနှင့် ကျုံ့ခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော အလုံပိတ်ပျက်ကွက်မှု သို့မဟုတ် ဖိစီးမှုအာရုံစူးစိုက်မှုကို ကာကွယ်ပေးပါသည်။
ကြာရှည်ခံမှု:၎င်း၏ မြင့်မားသော မာကျောမှုနှင့် ခိုင်ခံ့မှုသည် မီးဖိုပြွန်ကို အလွန်ကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ ပေးစွမ်းပြီး ပုံပျက်ခြင်းနှင့် ပျက်စီးခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေသည်။

ပုံမှန်လျှောက်လွှာ:

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရေး-SiC/GaN epitaxial growth (MOCVD၊ HTCVD)၊ ဆီလီကွန်အခြေခံ epitaxy၊ အပူချိန်မြင့် ပျံ့နှံ့မှု/ဓာတ်တိုးမှု/အပူပေးမှု (RTP) နှင့် LPCVD။

ဓာတ်အားလျှပ်စစ်စက်မှုလုပ်ငန်းအပူချိန်မြင့်မားစွာ ပျံ့နှံ့ခြင်း (ဖော့စဖရပ်စ်/ဘိုရွန်ပျံ့နှံ့ခြင်း) နှင့် ပုံဆောင်ခဲ ဆီလီကွန် ဆိုလာဆဲလ်များကို အပူပေးခြင်း။