Tube de procédé de diffusion en carbure de silicium (SiC)

Tube de procédé de diffusion en carbure de silicium (SiC)

Tubes de four à diffusion en carbure de siliciumCes composants sont essentiels dans la fabrication des semi-conducteurs, les traitements thermiques à haute température et la préparation des matériaux. Ils servent principalement de support et de chambre de réaction pour les fours de diffusion ou d'oxydation, permettant des procédés tels que la réaction atmosphérique, l'oxydation, la diffusion et le recuit dans des environnements à haute température et hautement corrosifs.
VET Energy est spécialisée dans la conception et la fabrication de tubes en carbure de silicium (SiC) pour les applications semi-conducteurs à haute température et en milieu corrosif. Grâce à des installations de production avancées et à des technologies CVD et de frittage exclusives, nous fournissons des tubes qui présentent une excellente stabilité thermique, une résistance à l'oxydation et une longue durée de vie.

Avantages des tubes SiC de VET Energy :

Pureté ultra-élevée :Produites grâce à un procédé de frittage spécial, les impuretés métalliques nocives (telles que Na, K, Fe et Al) sont réduites au niveau du ppb.
Dégazage extrêmement faible :Dans des environnements à haute température et sous vide poussé, le dégazage est bien inférieur à celui du quartz, ce qui empêche efficacement la contamination de la chambre de traitement, garantit la qualité intrinsèque des couches minces déposées ou de la croissance cristalline et améliore considérablement le rendement du produit (particulièrement critique pour l'épitaxie du SiC, la croissance du GaN et la production de silicium monocristallin haut de gamme).
Stabilité à haute température :Des températures de fonctionnement à long terme supérieures à 1600 °C (bien au-dessus du point de ramollissement du quartz, environ 1200 °C) sont possibles, et des températures à court terme peuvent supporter des températures encore plus élevées (comme 1800 °C), répondant aux exigences de très haute température des semi-conducteurs de troisième génération et des processus de croissance cristalline.
Résistance à la corrosion chimique :Très résistant aux gaz hautement corrosifs tels que HCl, Cl₂ et HF, ainsi qu'au silicium fondu et aux vapeurs métalliques, il conserve son intégrité structurelle et son état de surface dans des atmosphères complexes telles que CVD, diffusion, oxydation et gravure, avec une durée de vie bien supérieure à celle des tubes de four en quartz.
Excellente conductivité thermique :Sa conductivité thermique est des dizaines de fois supérieure à celle du quartz, ce qui permet une distribution plus rapide et plus uniforme de la température dans le four et améliore l'uniformité et la reproductibilité du procédé. Ceci est particulièrement important pour le traitement de grandes surfaces et de plusieurs plaquettes (par exemple, les fours de diffusion photovoltaïques et les réacteurs MOCVD).
Stabilité dimensionnelle :Son coefficient de dilatation thermique extrêmement faible garantit que le tube du four conserve une géométrie très stable même lorsqu'il est soumis à des fluctuations de température répétées et importantes, empêchant ainsi les défaillances d'étanchéité ou les concentrations de contraintes causées par la dilatation et la contraction thermiques.
Durabilité:Sa dureté et sa résistance élevées confèrent au tube de four d'excellentes propriétés mécaniques, le rendant résistant à la déformation et aux dommages.

Application typique :

Fabrication de semi-conducteurs :Croissance épitaxiale SiC/GaN (MOCVD, HTCVD), épitaxie à base de silicium, diffusion/oxydation/recuit à haute température (RTP) et LPCVD.

Industrie photovoltaïque :Diffusion à haute température (diffusion de phosphore/bore) et recuit des cellules solaires en silicium cristallin.