Tubo ng Proseso ng Pagsasabog ng Silicon Carbide SiC

Tubo ng Proseso ng Pagsasabog ng Silicon Carbide SiC

Mga Tubo ng Pugon ng Pagkalat ng Silicon Carbideay mga pangunahing sangkap na ginagamit sa semiconductor, high-temperature heat treatment, at mga proseso ng paghahanda ng materyal. Pangunahing ginagamit ang mga ito bilang suporta at reaction chamber para sa mga diffusion furnace o oxidation furnace, na nagsasagawa ng mga proseso tulad ng atmospheric reaction, oxidation, diffusion, at annealing sa mga kapaligirang may mataas na temperatura at mataas na corrosion.
Ang VET Energy ay dalubhasa sa disenyo at paggawa ng mga silicon carbide (SiC) tube para sa mga aplikasyon ng semiconductor na may mataas na temperatura at kinakaing unti-unti. Gamit ang mga advanced na pasilidad sa produksyon at mga proprietary CVD at sintering na teknolohiya, naghahatid kami ng mga tubo na nagtatampok ng mahusay na thermal stability, oxidation resistance, at mahabang buhay ng serbisyo.

Mga Bentahe ng mga SiC tube ng VET Energy:

Ultra-Mataas na Kadalisayan:Ginagawa gamit ang isang espesyal na proseso ng sintering, ang mga mapaminsalang dumi ng metal (tulad ng Na, K, Fe, at Al) ay binabawasan sa antas ng ppb.
Napakababang Pag-outgas:Sa ilalim ng mga kapaligirang may mataas na temperatura at vacuum, ang outgassing ay mas mababa kaysa sa quartz, na epektibong pumipigil sa kontaminasyon sa process chamber, tinitiyak ang likas na kalidad ng mga idinepositong manipis na pelikula o paglaki ng kristal, at makabuluhang nagpapabuti sa ani ng produkto (lalo na mahalaga para sa SiC epitaxy, paglaki ng GaN, at high-end na produksyon ng single-crystal silicon).
Katatagan sa Mataas na Temperatura:Posible ang pangmatagalang temperatura ng pagpapatakbo na higit sa 1600°C (mas mataas sa softening point ng quartz, humigit-kumulang 1200°C), at ang mga panandaliang temperatura ay kayang tiisin ang mas mataas na temperatura (tulad ng 1800°C), na nakakatugon sa mga kinakailangan sa ultra-high-temperature ng mga third-generation semiconductor at mga proseso ng paglaki ng kristal.
Paglaban sa Kaagnasan ng Kemikal:Lubos na lumalaban sa mga gas na lubhang kinakaing unti-unti tulad ng HCl, Cl₂, at HF, pati na rin sa tinunaw na silicon at metal na singaw, na nagpapanatili ng integridad ng istruktura at pagtatapos ng ibabaw sa mga kumplikadong atmospera tulad ng CVD, diffusion, oxidation, at etching, na may habang-buhay na higit pa sa mga tubo ng quartz furnace.
Napakahusay na Konduktibidad ng Thermal:Ang thermal conductivity nito ay dose-dosenang beses na mas mataas kaysa sa quartz, na nagbibigay-daan sa mas mabilis at mas pare-parehong distribusyon ng temperatura ng pugon at nagpapabuti sa pagkakapareho at kakayahang maulit ng proseso. Ito ay partikular na kritikal para sa malawakang pagproseso ng maraming wafer (hal., mga photovoltaic diffusion furnace at mga MOCVD reactor).
Katatagan ng Dimensyon:Tinitiyak ng napakababang koepisyent ng thermal expansion nito na napapanatili ng tubo ng hurno ang lubos na matatag na geometry kahit na sumailalim sa paulit-ulit at matinding pagbabago-bago ng temperatura, na pumipigil sa pagpalya ng selyo o konsentrasyon ng stress na dulot ng thermal expansion at contraction.
Katatagan:Ang mataas na katigasan at tibay nito ay nagbibigay sa tubo ng pugon ng mahusay na mga mekanikal na katangian, na ginagawa itong lumalaban sa pagpapapangit at pinsala.

Karaniwang Aplikasyon:

Paggawa ng Semikonduktor:SiC/GaN epitaxial growth (MOCVD, HTCVD), silicon-based epitaxy, high-temperature diffusion/oxidation/annealing (RTP), at LPCVD.

Industriya ng Photovoltaic:Pagsasabog sa mataas na temperatura (pagsasabog ng phosphorus/boron) at pagpapainit ng mga crystalline silicon solar cell.