Tube ya Mchakato wa Usambazaji wa Sik ya Silikoni ya Carbide

Tube ya Mchakato wa Usambazaji wa Sik ya Silikoni ya Carbide

Mirija ya Tanuru ya Usambazaji wa Kabidi ya Silikonini vipengele muhimu vinavyotumika katika semiconductor, matibabu ya joto la halijoto ya juu, na michakato ya utayarishaji wa nyenzo. Hutumika hasa kama chumba cha usaidizi na mmenyuko kwa tanuru za uenezaji au tanuru za oksidi, zikifanya michakato kama vile mmenyuko wa angahewa, oksidi, uenezaji, na ufyonzaji katika mazingira yenye halijoto ya juu na yenye ubovu mwingi.
VET Energy inataalamu katika usanifu na utengenezaji wa mirija ya silicon carbide (SiC) kwa matumizi ya semiconductor zenye joto la juu na babuzi. Kwa vifaa vya uzalishaji vya hali ya juu na teknolojia za kipekee za CVD na sintering, tunatoa mirija yenye uthabiti bora wa joto, upinzani wa oksidi, na maisha marefu ya huduma.

Faida za mirija ya SiC ya VET Energy:

Usafi wa Juu Sana:Uchafu wa metali hatari (kama vile Na, K, Fe, na Al) unaozalishwa kwa kutumia mchakato maalum wa kuchuja, hupunguzwa hadi kiwango cha ppb.
Utoaji wa gesi wa kiwango cha chini sana:Chini ya mazingira yenye halijoto ya juu na utupu mwingi, utoaji wa gesi nje ni mdogo sana kuliko ule wa quartz, hivyo kuzuia kwa ufanisi uchafuzi wa chumba cha mchakato, kuhakikisha ubora wa ndani wa filamu nyembamba zilizowekwa au ukuaji wa fuwele, na kuboresha kwa kiasi kikubwa mavuno ya bidhaa (hasa muhimu kwa epitaksi ya SiC, ukuaji wa GaN, na uzalishaji wa siliconi ya fuwele moja ya hali ya juu).
Uthabiti wa Joto la Juu:Halijoto za uendeshaji wa muda mrefu zinazozidi 1600°C (juu zaidi ya kiwango cha kulainisha cha quartz, takriban 1200°C) zinawezekana, na halijoto za muda mfupi zinaweza kuhimili halijoto za juu zaidi (kama vile 1800°C), zikikidhi mahitaji ya halijoto ya juu sana ya semiconductors za kizazi cha tatu na michakato ya ukuaji wa fuwele.
Upinzani wa Kutu wa Kemikali:Hustahimili sana gesi zinazoweza kuharibika kama vile HCl, Cl₂, na HF, pamoja na mvuke wa silikoni na chuma ulioyeyushwa, hudumisha uadilifu wa kimuundo na umaliziaji wa uso katika angahewa changamano kama vile CVD, uenezaji, oksidi, na uchomaji, huku muda wa kuishi ukizidi ule wa mirija ya tanuru ya quartz.
Uendeshaji Bora wa Joto:Upitishaji wake wa joto ni mkubwa mara kadhaa kuliko ule wa quartz, na kuwezesha usambazaji wa joto wa tanuru kwa kasi na sare zaidi na kuboresha usawa na kurudiwa kwa mchakato. Hii ni muhimu sana kwa usindikaji wa wafer nyingi katika eneo kubwa (km, tanuru za uenezaji wa volti na vinu vya MOCVD).
Utulivu wa Vipimo:Mgawo wake mdogo sana wa upanuzi wa joto huhakikisha kuwa bomba la tanuru hudumisha jiometri thabiti sana hata linapokabiliwa na mabadiliko ya joto yanayojirudia na makubwa, kuzuia hitilafu ya muhuri au mkusanyiko wa msongo unaosababishwa na upanuzi na mkazo wa joto.
Uimara:Ugumu na nguvu yake ya juu huipa bomba la tanuru sifa bora za kiufundi, na kuifanya iwe sugu kwa uundaji na uharibifu.

Matumizi ya Kawaida:

Utengenezaji wa Semiconductor:Ukuaji wa epitaxial wa SiC/GaN (MOCVD, HTCVD), epitaksi inayotegemea silikoni, usambazaji/uoksidishaji/ufungaji wa joto la juu (RTP), na LPCVD.

Sekta ya Photovoltaic:Usambazaji wa joto la juu (usambazaji wa fosforasi/boroni) na uunganishaji wa seli za jua za silikoni zenye fuwele.