Tiùb Pròiseas Sgaoilidh Silicon Carbide SiC

Tiùb Pròiseas Sgaoilidh Silicon Carbide SiC

Tiùban Fùirneis Sgaoilidh Silicon Carbide’S iad sin prìomh phàirtean a thathas a’ cleachdadh ann am pròiseasan leth-chonnsachaidh, làimhseachadh teas aig teòthachd àrd, agus ullachadh stuthan. Bithear gan cleachdadh sa mhòr-chuid mar sheòmar taice is freagairt airson àmhainnean sgaoilidh no àmhainnean ocsaididh, a’ dèanamh phròiseasan leithid ath-bhualadh àile, ocsaididh, sgaoileadh, agus teasachadh ann an àrainneachdan aig teòthachd àrd, a tha gu math creimneach.
Tha VET Energy gu sònraichte a’ dealbhadh agus a’ dèanamh phìoban silicon carbide (SiC) airson tagraidhean leth-chonnsachaidh àrd-teòthachd agus creimneach. Le goireasan cinneasachaidh adhartach agus teicneòlasan CVD agus sintering seilbhe, bidh sinn a’ lìbhrigeadh phìoban anns a bheil seasmhachd teirmeach sàr-mhath, strì an aghaidh oxidation, agus beatha seirbheis fhada.

Buannachdan tiùban SiC bho VET Energy:

Purrachd Ultra-Àrd:Air a dhèanamh le bhith a’ cleachdadh pròiseas sintearachd sònraichte, tha neo-chunbhalachdan meatailt cronail (leithid Na, K, Fe, agus Al) air an lughdachadh gu ìre ppb.
Sgaoileadh gasaichean gu math ìosal:Fo àrainneachdan àrd-teodhachd, àrd-falamh, tha an ìre de ghas a thèid a-mach mòran nas ìsle na an ìre de chuartz, a’ cur casg gu h-èifeachdach air truailleadh seòmar a’ phròiseis, a’ dèanamh cinnteach à càileachd nàdarra fhilmichean tana no fàs criostail a tha air an tasgadh, agus a’ leasachadh toradh toraidh gu mòr (gu sònraichte deatamach airson epitaxy SiC, fàs GaN, agus cinneasachadh silicon aon-chriostail àrd-inbhe).
Seasmhachd Teòthachd Àrd:Tha teòthachd obrachaidh fad-ùine nas àirde na 1600°C (gu math os cionn puing bogachaidh grian-chloiche, timcheall air 1200°C) comasach, agus faodaidh teòthachd geàrr-ùine seasamh ri teòthachd eadhon nas àirde (leithid 1800°C), a’ coinneachadh ri riatanasan teòthachd fìor àrd leth-sheoladairean treas ginealach agus pròiseasan fàis criostail.
Frith-aghaidh Creimeadh Ceimigeach:Glè dhìonach an aghaidh gasaichean a tha gu math creimneach leithid HCl, Cl₂, agus HF, a bharrachd air silicon leaghte agus ceò meatailt, a’ cumail suas ionracas structarail agus crìochnachadh uachdar ann an àileachdan iom-fhillte leithid CVD, sgaoileadh, oxidation, agus gràbhaladh, le fad-beatha fada nas fhaide na fad-beatha phìoban fùirneis grianchloch.
Seoltachd Teirmeach Sàr-mhath:Tha an giùlan teirmeach aige dusanan de thursan nas motha na giùlan teirmeach grian-chlach, a’ comasachadh sgaoileadh teòthachd àmhainn nas luaithe agus nas cunbhalaiche agus a’ leasachadh cunbhalachd agus ath-aithris pròiseas. Tha seo gu sònraichte cudromach airson giullachd ioma-wafer farsaing (me, àmhainnean sgaoilidh photovoltaic agus reactaran MOCVD).
Seasmhachd tomhasach:Tha an co-èifeachd leudachaidh teirmeach ìosal aige a’ dèanamh cinnteach gu bheil geoimeatraidh seasmhach aig tiùb an àmhainn eadhon nuair a bhios e fo ùmhlachd atharrachaidhean teòthachd a-rithist is a-rithist, a’ cur casg air fàilligeadh ròin no dùmhlachd cuideam air adhbhrachadh le leudachadh agus giorrachadh teirmeach.
Seasmhachd:Tha a chruas agus a neart àrd a’ toirt feartan meacanaigeach sàr-mhath don phìob àmhainn, ga dhèanamh dìonach an aghaidh deformachadh agus milleadh.

Tagradh àbhaisteach:

Saothrachadh leth-sheoltairean:Fàs epitaxial SiC/GaN (MOCVD, HTCVD), epitaxis stèidhichte air silicon, sgaoileadh/ocsaidachadh/annealing aig teòthachd àrd (RTP), agus LPCVD.

Gnìomhachas Fòto-bholtaigeach:Sgaoileadh aig teòthachd àrd (sgaoileadh fosfar/boron) agus teasachadh cheallan grèine silicon criostalach.