ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ SiC ପ୍ରସାରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଟ୍ୟୁବ୍

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ SiC ପ୍ରସାରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଟ୍ୟୁବ୍

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ବିକ୍ଷେପଣ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ, ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ତାପ ଚିକିତ୍ସା ଏବଂ ସାମଗ୍ରୀ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବ୍ୟବହୃତ ପ୍ରମୁଖ ଉପାଦାନ। ଏଗୁଡ଼ିକ ମୁଖ୍ୟତଃ ପ୍ରସାରଣ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ କିମ୍ବା ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ପାଇଁ ସମର୍ଥନ ଏବଂ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଚାମ୍ବର ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ, ଅତ୍ୟନ୍ତ କ୍ଷୟକାରୀ ପରିବେଶରେ ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା, ଅକ୍ସିଡେସନ୍, ପ୍ରସାରଣ ଏବଂ ଆନିଲିଂ ଭଳି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମ୍ପାଦନ କରେ।
VET ଏନର୍ଜି ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ଏବଂ କ୍ଷୟକାରୀ ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ଟ୍ୟୁବ୍‌ର ଡିଜାଇନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନରେ ବିଶେଷଜ୍ଞ। ଉନ୍ନତ ଉତ୍ପାଦନ ସୁବିଧା ଏବଂ ମାଲିକାନା CVD ଏବଂ ସିଣ୍ଟରିଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ସହିତ, ଆମେ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା, ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଦୀର୍ଘ ସେବା ଜୀବନ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ ବିଶିଷ୍ଟ ଟ୍ୟୁବ୍‌ ପ୍ରଦାନ କରୁ।

VET ଏନର୍ଜିର SiC ଟ୍ୟୁବର ସୁବିଧା:

ଅତି-ଉଚ୍ଚ ପବିତ୍ରତା:ଏକ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ସିଣ୍ଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବ୍ୟବହାର କରି ଉତ୍ପାଦିତ ହେଲେ, କ୍ଷତିକାରକ ଧାତୁ ଅଶୁଦ୍ଧତା (ଯେପରିକି Na, K, Fe, ଏବଂ Al) ppb ସ୍ତରକୁ ହ୍ରାସ ପାଏ।
ଅତ୍ୟନ୍ତ କମ୍ ଗ୍ୟାସ ନିର୍ଗତ:ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ, ଉଚ୍ଚ-ଭାକ୍ୟୁମ୍ ପରିବେଶରେ, ଗ୍ୟାସ ନିର୍ଗମନ କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ତୁଳନାରେ ବହୁତ କମ୍, ପ୍ରକ୍ରିୟା ଚାମ୍ବର ପ୍ରଦୂଷଣକୁ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ରୋକିଥାଏ, ଜମା ହୋଇଥିବା ପତଳା ଫିଲ୍ମ କିମ୍ବା ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧିର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଗୁଣବତ୍ତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିଥାଏ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦ ଉତ୍ପାଦନରେ ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ ଉନ୍ନତି କରିଥାଏ (ବିଶେଷକରି SiC ଏପିଟାକ୍ସି, GaN ବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶେଷ ଏକକ-ସ୍ଫଟିକ ସିଲିକନ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ)।
ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ସ୍ଥିରତା:ଦୀର୍ଘକାଳୀନ କାର୍ଯ୍ୟ ତାପମାତ୍ରା ୧୬୦୦°C (କ୍ୱାର୍ଟଜର ନରମତା ବିନ୍ଦୁଠାରୁ ପ୍ରାୟ ୧୨୦୦°C) ଅତିକ୍ରମ କରିବା ସମ୍ଭବ, ଏବଂ କ୍ଷଣସ୍ଥାୟୀ ତାପମାତ୍ରା ଆହୁରି ଅଧିକ ତାପମାତ୍ରା (ଯେପରିକି ୧୮୦୦°C) ସହ୍ୟ କରିପାରେ, ଯାହା ତୃତୀୟ ପିଢ଼ିର ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଅତି-ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିଥାଏ।
ରାସାୟନିକ କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ:HCl, Cl₂, ଏବଂ HF ପରି ଅତ୍ୟଧିକ କ୍ଷୟକାରୀ ଗ୍ୟାସ୍, ଏବଂ ତରଳିଥିବା ସିଲିକନ୍ ଏବଂ ଧାତୁ ବାଷ୍ପ ପ୍ରତି ଅତ୍ୟନ୍ତ ପ୍ରତିରୋଧୀ, CVD, ପ୍ରସାରଣ, ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଏବଂ ଏଚିଂ ଭଳି ଜଟିଳ ବାୟୁମଣ୍ଡଳରେ ଗଠନାତ୍ମକ ଅଖଣ୍ଡତା ଏବଂ ପୃଷ୍ଠ ଫିନିସ୍ ବଜାୟ ରଖେ, ଯାହାର ଜୀବନକାଳ କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଅପେକ୍ଷା ବହୁତ ଅଧିକ।
ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ ପରିବାହୀତା:ଏହାର ତାପଜ ପରିବାହୀତା କ୍ୱାର୍ଟଜ୍ ଅପେକ୍ଷା ଡଜନେ ଗୁଣ ଅଧିକ, ଯାହା ଦ୍ରୁତ ଏବଂ ଅଧିକ ସମାନ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ତାପମାତ୍ରା ବଣ୍ଟନକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଏକରୂପତା ଏବଂ ପୁନରାବୃତ୍ତିକୁ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ। ଏହା ବିଶେଷ ଭାବରେ ବୃହତ-କ୍ଷେତ୍ର, ମଲ୍ଟି-ୱେଫର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ (ଯଥା, ଫଟୋଭୋଲ୍ଟାଇକ୍ ପ୍ରସାରଣ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଏବଂ MOCVD ରିଆକ୍ଟର) ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ।
ମାତ୍ରା ସ୍ଥିରତା:ଏହାର ଅତ୍ୟନ୍ତ କମ୍ ତାପଜ ପ୍ରସାରଣ ଗୁଣାଙ୍କ ନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ବାରମ୍ବାର ଏବଂ ଅତ୍ୟନ୍ତ ତାପମାତ୍ରା ପରିବର୍ତ୍ତନର ସମ୍ମୁଖୀନ ହେଲେ ମଧ୍ୟ ଅତ୍ୟନ୍ତ ସ୍ଥିର ଜ୍ୟାମିତି ବଜାୟ ରଖେ, ତାପଜ ପ୍ରସାରଣ ଏବଂ ସଂକୋଚନ ଯୋଗୁଁ ସିଲ୍ ବିଫଳତା କିମ୍ବା ଚାପ ଘନତାକୁ ରୋକିଥାଏ।
ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ:ଏହାର ଉଚ୍ଚ କଠୋରତା ଏବଂ ଶକ୍ତି ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଟ୍ୟୁବ୍‌କୁ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯାହା ଏହାକୁ ବିକୃତି ଏବଂ କ୍ଷତି ପ୍ରତି ପ୍ରତିରୋଧୀ କରିଥାଏ।

ସାଧାରଣ ପ୍ରୟୋଗ:

ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ:SiC/GaN ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ବୃଦ୍ଧି (MOCVD, HTCVD), ସିଲିକନ୍-ଆଧାରିତ ଏପିଟାକ୍ସୀ, ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ପ୍ରସାରଣ/ଅକ୍ସିଡେସନ୍/ଆନିଲିଂ (RTP), ଏବଂ LPCVD।

ଫଟୋଭୋଲଟାଇକ୍ ଶିଳ୍ପ:ସ୍ଫଟିକୀୟ ସିଲିକନ୍ ସୌର କୋଷର ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ପ୍ରସାରଣ (ଫସଫରସ୍/ବୋରନ୍ ପ୍ରସାରଣ) ଏବଂ ଆନିଲିଂ।