Tube Ìtanka Silikoni Carbide SiC

Tube Ìtanka Silikoni Carbide SiC

Àwọn Pọ́ọ̀bù Ìfọ́ Ilé Ìgbóná Sílíkónì CarbideÀwọn ohun pàtàkì tí a ń lò nínú semiconductor, ìtọ́jú ooru tó ga, àti àwọn ìlànà ìpèsè ohun èlò. Wọ́n sábà máa ń lò wọ́n gẹ́gẹ́ bí igbátìlẹ́yìn àti yàrá ìfèsìpadà fún àwọn ilé ìgbóná tàbí àwọn ilé ìgbóná oxidation, tí wọ́n ń ṣe àwọn iṣẹ́ bíi ìṣesí afẹ́fẹ́, oxidation, diffusion, àti annealing ní àwọn àyíká tó ga, tó sì ní ìbàjẹ́ púpọ̀.
VET Energy ṣe amọja ni apẹrẹ ati iṣelọpọ awọn tube silicon carbide (SiC) fun awọn ohun elo semiconductor ti o ni iwọn otutu giga ati ibajẹ. Pẹlu awọn ohun elo iṣelọpọ ilọsiwaju ati awọn imọ-ẹrọ CVD ati sintering ti ara ẹni, a n pese awọn tube ti o ni iduroṣinṣin ooru ti o dara julọ, resistance oxidation, ati igbesi aye iṣẹ pipẹ.

Àwọn àǹfààní ti àwọn páìpù SiC ti VET Energy:

Ìmọ́tótó Gíga Jùlọ:Tí a bá lo ìlànà ìfọ́mọ́ra pàtàkì, àwọn ohun tí kò dára fún irin (bíi Na, K, Fe, àti Al) ni a máa dínkù sí ìwọ̀n ppb.
Ìyọkúrò tí ó kéré gidigidi:Lábẹ́ àyíká tí ó ní iwọ̀n otútù gíga àti afẹ́fẹ́ gíga, ìtújáde gaasi kéré gan-an ju ti quartz lọ, ó ń dènà ìbàjẹ́ yàrá iṣẹ́ lọ́nà tí ó dára, ó ń rí i dájú pé dídára àwọn fíìmù tín-tín tàbí ìdàgbàsókè kirisita wà nínú rẹ̀, ó sì ń mú kí ìṣẹ̀dá ọjà sunwọ̀n sí i (ní pàtàkì fún SiC epitaxy, ìdàgbàsókè GaN, àti ìṣẹ̀dá silikoni onígun-gíga).
Iduroṣinṣin Iwọn otutu giga:Awọn iwọn otutu iṣiṣẹ igba pipẹ ti o kọja 1600°C (o ju aaye rirọ ti quartz lọ, to 1200°C) ṣee ṣe, ati awọn iwọn otutu igba kukuru le koju awọn iwọn otutu ti o ga julọ paapaa (bii 1800°C), ni ibamu pẹlu awọn ibeere iwọn otutu giga-giga ti awọn semiconductors iran kẹta ati awọn ilana idagbasoke kristali.
Agbara Ipalara Kemikali:Ó ní agbára gíga láti kojú àwọn gáàsì oníbàjẹ́ bíi HCl, Cl₂, àti HF, àti sílíkónì tí ó yọ́ àti èéfín irin, ó ń pa ìdúróṣinṣin ìṣètò àti ìparí ojú ilẹ̀ mọ́ ní àwọn afẹ́fẹ́ onípele bíi CVD, ìtànkálẹ̀, oxidation, àti etching, pẹ̀lú ìgbésí ayé tí ó ju ti àwọn páìpù iná quartz lọ.
Agbara itọsi ooru to dara julọ:Ìlànà ooru rẹ̀ pọ̀ ju ti quartz lọ ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ ìgbà, èyí tí ó mú kí ìpínkiri iwọn otutu ilé ìgbóná yára àti déédé pọ̀ sí i, ó sì ń mú kí ìṣọ̀kan ilana àti ìtúnṣe rẹ̀ sunwọ̀n sí i. Èyí ṣe pàtàkì ní pàtàkì fún iṣẹ́ ṣíṣe àwọn ohun èlò ìgbóná oní-wafer púpọ̀ (fún àpẹẹrẹ, àwọn ilé ìgbóná fọ́tòvoltaic àti àwọn ohun èlò ìgbóná MOCVD).
Iduroṣinṣin Oniruuru:Ìwọ̀n ìfàsẹ́yìn ooru rẹ̀ tí ó kéré gan-an ń mú kí ọ̀pá ìléru máa dúró ní ìwọ̀n ìrísí tó dúró ṣinṣin, kódà nígbà tí a bá ń ṣe àtúnṣe sí ìyípadà otutu tó le koko, èyí tí ó ń dènà ìkùnà èdìdì tàbí ìṣọ̀kan wahala tí ìfàsẹ́yìn ooru àti ìfàsẹ́yìn fà.
Àìlera:Agbara ati agbara giga rẹ fun ọpọn ina naa ni awọn agbara ẹrọ ti o dara julọ, ti o jẹ ki o ko ni ipa lori ibajẹ ati ibajẹ.

Ohun elo ti o wọpọ:

Iṣelọpọ Semikondaktọ:Ìdàgbàsókè epitaxial SiC/GaN (MOCVD, HTCVD), epitaxy tí a fi silicon ṣe, ìtànkálẹ̀/oxidation/annealing ní iwọ̀n otútù gíga (RTP), àti LPCVD.

Ile-iṣẹ Fọtovoltaiki:Ìtànkálẹ̀ ooru gíga (ìtànkálẹ̀ phosphorus/boron) àti ìfàmọ́ra àwọn sẹ́ẹ̀lì oòrùn silikoni crystalline.