Difuzijska procesna cev iz silicijevega karbida SiC

Difuzijska procesna cev iz silicijevega karbida SiC

Difuzijske cevi iz silicijevega karbidaSo ključne komponente, ki se uporabljajo v polprevodniških procesih, visokotemperaturni toplotni obdelavi in ​​procesih priprave materialov. Uporabljajo se predvsem kot nosilna in reakcijska komora za difuzijske ali oksidacijske peči, kjer se izvajajo procesi, kot so atmosferske reakcije, oksidacija, difuzija in žarjenje v visokotemperaturnih, zelo korozivnih okoljih.
VET Energy je specializirano za načrtovanje in proizvodnjo silicijevega karbidnega (SiC) silicijevega karbida (SiC) za visokotemperaturne in korozivne polprevodniške aplikacije. Z naprednimi proizvodnimi obrati in lastniškimi tehnologijami CVD in sintranja dobavljamo cevi, ki se odlikujejo z odlično toplotno stabilnostjo, odpornostjo proti oksidaciji in dolgo življenjsko dobo.

Prednosti SiC cevi VET Energy:

Ultra visoka čistost:Pri izdelavi s posebnim postopkom sintranja se škodljive kovinske nečistoče (kot so Na, K, Fe in Al) zmanjšajo na raven ppb.
Izjemno nizko odplinjevanje:V okoljih z visoko temperaturo in visokim vakuumom je odplinjevanje veliko manjše kot pri kremenu, kar učinkovito preprečuje kontaminacijo procesne komore, zagotavlja intrinzično kakovost nanesenih tankih filmov ali rasti kristalov ter znatno izboljšuje izkoristek produkta (še posebej pomembno za epitaksijo SiC, rast GaN in proizvodnjo visokokakovostnega monokristalnega silicija).
Visokotemperaturna stabilnost:Dolgoročne obratovalne temperature, ki presegajo 1600 °C (precej nad zmehčiščem kremena, približno 1200 °C), so možne, kratkotrajne temperature pa lahko prenesejo še višje temperature (kot je 1800 °C), kar izpolnjuje zahteve glede ultra visokih temperatur polprevodnikov tretje generacije in procesov rasti kristalov.
Kemična odpornost proti koroziji:Visoka odpornost na zelo korozivne pline, kot so HCl, Cl₂ in HF, ter na staljeni silicij in kovinske hlape, ohranja strukturno celovitost in površinsko obdelavo v kompleksnih atmosferah, kot so CVD, difuzija, oksidacija in jedkanje, z življenjsko dobo, ki daleč presega življenjsko dobo kremenčevih cevi.
Odlična toplotna prevodnost:Njegova toplotna prevodnost je več desetkrat večja od toplotne prevodnosti kremena, kar omogoča hitrejšo in enakomernejšo porazdelitev temperature peči ter izboljšuje enakomernost in ponovljivost procesa. To je še posebej pomembno za obdelavo več rezin z veliko površino (npr. fotovoltaične difuzijske peči in MOCVD reaktorji).
Dimenzijska stabilnost:Izjemno nizek koeficient toplotnega raztezanja zagotavlja, da cev peči ohranja zelo stabilno geometrijo tudi pri ponavljajočih se in drastičnih temperaturnih nihanjih, kar preprečuje odpoved tesnila ali koncentracijo napetosti zaradi toplotnega raztezanja in krčenja.
Vzdržljivost:Visoka trdota in trdnost dajeta cevi peči odlične mehanske lastnosti, zaradi česar je odporna na deformacije in poškodbe.

Tipična uporaba:

Proizvodnja polprevodnikov:Epitaksialna rast SiC/GaN (MOCVD, HTCBD), epitaksija na osnovi silicija, visokotemperaturna difuzija/oksidacija/žarjenje (RTP) in LPCVD.

Fotovoltaična industrija:Visokotemperaturna difuzija (difuzija fosforja/bora) in žarjenje kristalnih silicijevih sončnih celic.