Tubu tal-Proċess ta' Diffużjoni tas-Silikon Karbur SiC

Tubu tal-Proċess ta' Diffużjoni tas-Silikon Karbur SiC

Tubi tal-Forn tad-Diffużjoni tal-Karbur tas-Silikonhuma komponenti ewlenin użati fis-semikondutturi, fit-trattament bis-sħana f'temperatura għolja, u fil-proċessi ta' preparazzjoni ta' materjali. Dawn jintużaw primarjament bħala l-appoġġ u l-kamra tar-reazzjoni għal fran tad-diffużjoni jew fran tal-ossidazzjoni, li jwettqu proċessi bħal reazzjoni atmosferika, ossidazzjoni, diffużjoni, u ittemprar f'ambjenti b'temperatura għolja u korrużivi ħafna.
VET Energy tispeċjalizza fid-disinn u l-manifattura ta' tubi tas-silikon karbur (SiC) għal applikazzjonijiet ta' semikondutturi f'temperatura għolja u korrużivi. B'faċilitajiet ta' produzzjoni avvanzati u teknoloġiji proprjetarji ta' CVD u sinterizzazzjoni, aħna nwasslu tubi li għandhom stabbiltà termali eċċellenti, reżistenza għall-ossidazzjoni, u ħajja twila ta' servizz.

Vantaġġi tat-tubi SiC ta' VET Energy:

Purità Ultra-Għolja:Prodott bl-użu ta' proċess speċjali ta' sinterizzazzjoni, l-impuritajiet tal-metall ta' ħsara (bħal Na, K, Fe, u Al) jitnaqqsu għal-livell ta' ppb.
Emissjoni ta' Gassijiet Baxxa Ħafna:Taħt ambjenti ta' temperatura għolja u vakwu għoli, l-ħruġ ta' gass huwa ħafna inqas minn dak tal-kwarz, u b'hekk jipprevjeni b'mod effettiv il-kontaminazzjoni tal-kamra tal-proċess, jiżgura l-kwalità intrinsika tal-films irqaq depożitati jew it-tkabbir tal-kristalli, u jtejjeb b'mod sinifikanti r-rendiment tal-prodott (speċjalment kritiku għall-epitassija tas-SiC, it-tkabbir tal-GaN, u l-produzzjoni tas-silikon ta' kristall wieħed ta' kwalità għolja).
Stabbiltà f'Temperatura Għolja:Temperaturi ta' tħaddim fit-tul li jaqbżu s-1600°C (ferm 'il fuq mill-punt tat-trattib tal-kwarz, madwar 1200°C) huma possibbli, u temperaturi għal żmien qasir jistgħu jifilħu temperaturi saħansitra ogħla (bħal 1800°C), u jissodisfaw ir-rekwiżiti ta' temperatura ultra-għolja tas-semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni u l-proċessi tat-tkabbir tal-kristalli.
Reżistenza għall-Korrużjoni Kimika:Reżistenti ħafna għal gassijiet korrużivi ħafna bħal HCl, Cl₂, u HF, kif ukoll silikon imdewweb u fwar tal-metall, iżżomm l-integrità strutturali u l-finitura tal-wiċċ f'atmosferi kumplessi bħal CVD, diffużjoni, ossidazzjoni, u inċiżjoni, b'ħajja ferm ogħla minn dik tat-tubi tal-forn tal-kwarz.
Konduttività Termali Eċċellenti:Il-konduttività termali tiegħu hija għexieren ta' drabi akbar minn dik tal-kwarz, u b'hekk tippermetti distribuzzjoni tat-temperatura tal-forn aktar mgħaġġla u uniformi u ttejjeb l-uniformità u r-ripetibbiltà tal-proċess. Dan huwa partikolarment kritiku għall-ipproċessar ta' żona kbira u b'ħafna wejfers (eż., fran tad-diffużjoni fotovoltajċi u reatturi MOCVD).
Stabbiltà Dimensjonali:Il-koeffiċjent estremament baxx ta' espansjoni termali jiżgura li t-tubu tal-forn iżomm ġeometrija stabbli ħafna anke meta jkun soġġett għal varjazzjonijiet ripetuti u drastiċi fit-temperatura, u b'hekk jipprevjeni l-ħsara fis-siġill jew il-konċentrazzjoni tal-istress ikkawżata minn espansjoni u kontrazzjoni termali.
Durabilità:L-ebusija u s-saħħa għolja tiegħu jagħtu lit-tubu tal-forn proprjetajiet mekkaniċi eċċellenti, u jagħmluh reżistenti għad-deformazzjoni u l-ħsara.

Applikazzjoni Tipika:

Manifattura tas-Semikondutturi:Tkabbir epitassjali SiC/GaN (MOCVD, HTCVD), epitassija bbażata fuq is-silikon, diffużjoni/ossidazzjoni/ittemprar f'temperatura għolja (RTP), u LPCVD.

Industrija Fotovoltajka:Diffużjoni f'temperatura għolja (diffużjoni tal-fosfru/boron) u ttemprar ta' ċelloli solari tas-silikon kristallin.