Найчаи раванди паҳншавии SiC барои карбиди кремний

Найчаи раванди паҳншавии SiC барои карбиди кремний

Найчаҳои кӯраи диффузионии карбиди кремнийҷузъҳои калидӣ мебошанд, ки дар равандҳои нимноқилӣ, коркарди гармии ҳарорати баланд ва омодасозии мавод истифода мешаванд. Онҳо асосан ҳамчун камераи такягоҳ ва реаксия барои кӯраҳои диффузионӣ ё кӯраҳои оксидшавӣ истифода мешаванд ва равандҳоеро ба монанди реаксияи атмосфера, оксидшавӣ, диффузия ва тафсондан дар муҳитҳои ҳарорати баланд ва хеле зангзананда иҷро мекунанд.
Ширкати VET Energy дар тарҳрезӣ ва истеҳсоли найчаҳои карбиди кремний (SiC) барои барномаҳои нимноқилҳои ҳарорати баланд ва зангзананда тахассус дорад. Бо таҷҳизоти пешрафтаи истеҳсолӣ ва технологияҳои хусусии CVD ва синтезкунӣ, мо найчаҳоеро пешниҳод менамоем, ки дорои устувории аълои гармӣ, муқовимати оксидшавӣ ва мӯҳлати хизмати дароз мебошанд.

Бартариҳои лампаҳои SiC-и VET Energy:

Покии ултра-баланд:Ифлосҳои зараровари металлӣ (ба монанди Na, K, Fe ва Al), ки бо истифода аз раванди махсуси пухтакунӣ истеҳсол мешаванд, то сатҳи ppb коҳиш дода мешаванд.
Ихроҷи хеле ками газ:Дар муҳити ҳарорати баланд ва вакуумии баланд, гази берун аз он нисбат ба кварс хеле пасттар аст, ки самаранок аз ифлосшавии камераи раванд пешгирӣ мекунад, сифати дохилии плёнкаҳои тунуки ҷамъшуда ё афзоиши кристаллҳоро таъмин мекунад ва ҳосилнокии маҳсулотро ба таври назаррас беҳтар мекунад (хусусан барои эпитаксияи SiC, афзоиши GaN ва истеҳсоли кремнийи монокристаллии баландсифат муҳим аст).
Устувории ҳарорати баланд:Ҳароратҳои кори дарозмуддат аз 1600°C (хеле болотар аз нуқтаи нармшавии кварс, тақрибан 1200°C) имконпазиранд ва ҳарорати кӯтоҳмуддат метавонад ба ҳарорати боз ҳам баландтар (масалан, 1800°C) тоб оварад ва талаботи ҳарорати ултрабаландтарини нимноқилҳои насли сеюм ва равандҳои афзоиши кристаллро қонеъ гардонад.
Муқовимат ба зангзании кимиёвӣ:Ба газҳои хеле зангзананда ба монанди HCl, Cl₂ ва HF, инчунин кремнийи гудохта ва буғи металлӣ хеле тобовар буда, якпорчагии сохторӣ ва коркарди сатҳи онро дар атмосфераҳои мураккаб ба монанди CVD, диффузия, оксидшавӣ ва кандакорӣ нигоҳ медорад ва мӯҳлати хизмати он аз найчаҳои кӯраи кварсӣ хеле зиёдтар аст.
Гузаронидани гармии аъло:Гармигузаронии он даҳҳо маротиба нисбат ба кварс зиёдтар аст, ки тақсимоти тезтар ва якхелаи ҳарорати кӯраро имконпазир мегардонад ва якхелаӣ ва такроршавандагии равандро беҳтар мекунад. Ин махсусан барои коркарди масоҳати калон ва бисёрвафли (масалан, кӯраҳои диффузионии фотоэлектрикӣ ва реакторҳои MOCVD) муҳим аст.
Устувории андозагирӣ:Коэффисиенти хеле пасти васеъшавии гармӣ найчаи кӯраро таъмин мекунад, ки геометрияи он ҳатто ҳангоми дучор шудан ба тағйирёбии такрорӣ ва шадиди ҳарорат хеле устувор нигоҳ дошта шавад ва аз вайроншавии мӯҳр ё консентратсияи стресс, ки дар натиҷаи васеъшавӣ ва кашишхӯрии гармӣ ба вуҷуд меояд, пешгирӣ кунад.
Давомнокӣ:Сахтӣ ва мустаҳкамии баланди он ба найчаи кӯра хосиятҳои аълои механикӣ медиҳад ва онро ба деформатсия ва осеб тобовар мегардонад.

Аризаи маъмулӣ:

Истеҳсоли нимноқилҳо:Афзоиши эпитаксиалии SiC/GaN (MOCVD, HTCVD), эпитаксии дар асоси кремний, диффузияи/оксидшавии/тавқифкунии ҳарорати баланд (RTP) ва LPCVD.

Саноати фотоэлектрикӣ:Диффузияи ҳарорати баланд (диффузияи фосфор/бор) ва гармкунии батареяҳои офтобии кристаллии кремний.