Siliciumcarbide (SiC) diffusieprocesbuis

Siliciumcarbide (SiC) diffusieprocesbuis

Siliciumcarbide diffusieovenbuizenHet zijn essentiële componenten die worden gebruikt in halfgeleider-, hogetemperatuur-warmtebehandelings- en materiaalvoorbereidingsprocessen. Ze worden voornamelijk gebruikt als drager en reactiekamer voor diffusieovens of oxidatieovens, waar processen zoals atmosferische reactie, oxidatie, diffusie en gloeien plaatsvinden in hogetemperatuur- en zeer corrosieve omgevingen.
VET Energy is gespecialiseerd in het ontwerpen en produceren van siliciumcarbide (SiC) buizen voor halfgeleidertoepassingen bij hoge temperaturen en in corrosieve omgevingen. Dankzij geavanceerde productiefaciliteiten en eigen CVD- en sintertechnologieën leveren we buizen met uitstekende thermische stabiliteit, oxidatiebestendigheid en een lange levensduur.

Voordelen van de SiC-buizen van VET Energy:

Ultra-hoge zuiverheid:Door middel van een speciaal sinterproces worden schadelijke metaalverontreinigingen (zoals Na, K, Fe en Al) gereduceerd tot het ppb-niveau.
Extreem lage ontgassing:In omgevingen met hoge temperaturen en een hoog vacuüm is de ontgassing veel lager dan bij kwarts, waardoor verontreiniging van de proceskamer effectief wordt voorkomen, de intrinsieke kwaliteit van de afgezette dunne films of kristalgroei wordt gewaarborgd en de productopbrengst aanzienlijk wordt verbeterd (vooral cruciaal voor SiC-epitaxie, GaN-groei en de productie van hoogwaardig silicium met één kristalstructuur).
Stabiliteit bij hoge temperaturen:Langdurige bedrijfstemperaturen van meer dan 1600 °C (ruim boven het verwekingspunt van kwarts, circa 1200 °C) zijn mogelijk, en kortstondige temperaturen kunnen zelfs nog hoger zijn (zoals 1800 °C), waarmee wordt voldaan aan de ultrahoge-temperatuureisen van halfgeleiders van de derde generatie en kristalgroeiprocessen.
Chemische corrosiebestendigheid:Zeer bestand tegen zeer corrosieve gassen zoals HCl, Cl₂ en HF, evenals gesmolten silicium en metaaldamp, waardoor de structurele integriteit en oppervlakteafwerking behouden blijven in complexe atmosferen zoals CVD, diffusie, oxidatie en etsen, met een levensduur die die van kwartsovenbuizen ruimschoots overtreft.
Uitstekende warmtegeleiding:De thermische geleidbaarheid is tientallen malen groter dan die van kwarts, waardoor een snellere en gelijkmatigere temperatuurverdeling in de oven mogelijk is en de uniformiteit en herhaalbaarheid van het proces worden verbeterd. Dit is met name cruciaal voor grootschalige processen met meerdere wafers (bijvoorbeeld diffusieovens voor fotovoltaïsche cellen en MOCVD-reactoren).
Dimensionale stabiliteit:De extreem lage thermische uitzettingscoëfficiënt zorgt ervoor dat de ovenbuis een zeer stabiele geometrie behoudt, zelfs bij herhaalde en drastische temperatuurschommelingen. Dit voorkomt lekkage van de afdichting of spanningsconcentratie als gevolg van thermische uitzetting en krimp.
Duurzaamheid:De hoge hardheid en sterkte geven de ovenbuis uitstekende mechanische eigenschappen, waardoor deze bestand is tegen vervorming en beschadiging.

Typische toepassing:

Halfgeleiderproductie:Epitaxiale groei van SiC/GaN (MOCVD, HTCVD), siliciumgebaseerde epitaxie, diffusie/oxidatie/gloeien bij hoge temperatuur (RTP) en LPCVD.

Fotovoltaïsche industrie:Diffusie bij hoge temperaturen (diffusie van fosfor/boor) en gloeien van kristallijne siliciumzonnecellen.