ท่อกระบวนการแพร่ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)

ท่อกระบวนการแพร่ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)

ท่อเตาเผาแบบแพร่กระจายซิลิคอนคาร์ไบด์เป็นส่วนประกอบสำคัญที่ใช้ในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ การอบชุบด้วยความร้อนที่อุณหภูมิสูง และการเตรียมวัสดุ โดยส่วนใหญ่ใช้เป็นฐานรองและห้องปฏิกิริยาสำหรับเตาเผาแบบแพร่กระจายหรือเตาเผาแบบออกซิเดชัน เพื่อดำเนินการกระบวนการต่างๆ เช่น ปฏิกิริยาในบรรยากาศ การออกซิเดชัน การแพร่กระจาย และการอบอ่อนในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงและกัดกร่อนสูง
VET Energy เชี่ยวชาญด้านการออกแบบและการผลิตท่อซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ที่มีอุณหภูมิสูงและมีฤทธิ์กัดกร่อน ด้วยโรงงานผลิตที่ทันสมัยและเทคโนโลยี CVD และการเผาผนึกที่เป็นกรรมสิทธิ์ เราจึงส่งมอบท่อที่มีเสถียรภาพทางความร้อนที่ดีเยี่ยม ทนต่อการออกซิเดชัน และมีอายุการใช้งานยาวนาน

ข้อดีของท่อ SiC จาก VET Energy:

ความบริสุทธิ์สูงพิเศษ:ผลิตโดยใช้กระบวนการเผาผนึกแบบพิเศษ ซึ่งช่วยลดสิ่งเจือปนโลหะที่เป็นอันตราย (เช่น โซเดียม โพแทสเซียม เหล็ก และอะลูมิเนียม) ให้เหลือในระดับ ppb
ปล่อยก๊าซน้อยมาก:ภายใต้สภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงและสุญญากาศสูง การปล่อยก๊าซจะต่ำกว่าควอตซ์มาก ซึ่งช่วยป้องกันการปนเปื้อนในห้องกระบวนการได้อย่างมีประสิทธิภาพ รักษาคุณภาพที่แท้จริงของฟิล์มบางที่เคลือบหรือการเติบโตของผลึก และช่วยเพิ่มผลผลิตของผลิตภัณฑ์ได้อย่างมาก (โดยเฉพาะอย่างยิ่งมีความสำคัญต่อการปลูกผลึก SiC, การเติบโตของ GaN และการผลิตซิลิคอนผลึกเดี่ยวระดับสูง)
เสถียรภาพที่อุณหภูมิสูง:สามารถใช้งานต่อเนื่องได้ที่อุณหภูมิเกิน 1600°C (สูงกว่าจุดอ่อนตัวของควอตซ์ซึ่งอยู่ที่ประมาณ 1200°C) และในระยะสั้นสามารถทนต่ออุณหภูมิที่สูงกว่านั้นได้ (เช่น 1800°C) ซึ่งตรงตามข้อกำหนดด้านอุณหภูมิสูงพิเศษของเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สามและกระบวนการเจริญเติบโตของผลึก
ความต้านทานต่อการกัดกร่อนทางเคมี:มีความทนทานสูงต่อก๊าซกัดกร่อนสูง เช่น HCl, Cl₂ และ HF รวมถึงซิลิคอนหลอมเหลวและไอโลหะ รักษาความสมบูรณ์ของโครงสร้างและพื้นผิวในบรรยากาศที่ซับซ้อน เช่น CVD, การแพร่, การออกซิเดชัน และการกัดกร่อน โดยมีอายุการใช้งานยาวนานกว่าท่อเตาหลอมควอตซ์มาก
การนำความร้อนดีเยี่ยม:ค่าการนำความร้อนของวัสดุนี้สูงกว่าควอตซ์หลายสิบเท่า ทำให้สามารถกระจายอุณหภูมิในเตาเผาได้รวดเร็วและสม่ำเสมอยิ่งขึ้น และปรับปรุงความสม่ำเสมอและความสามารถในการทำซ้ำของกระบวนการ ซึ่งมีความสำคัญอย่างยิ่งสำหรับการประมวลผลพื้นที่ขนาดใหญ่และแผ่นเวเฟอร์หลายแผ่น (เช่น เตาเผาแบบแพร่กระจายสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์และเครื่องปฏิกรณ์ MOCVD)
ความเสถียรของมิติ:ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนที่ต่ำมากของท่อเตาเผา ช่วยให้ท่อรักษารูปทรงเรขาคณิตที่เสถียรสูง แม้จะเผชิญกับการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างรุนแรงและซ้ำๆ ซึ่งป้องกันการรั่วซึมหรือการกระจุกตัวของความเค้นที่เกิดจากการขยายตัวและการหดตัวจากความร้อน
ความทนทาน:ความแข็งและความแข็งแรงสูงทำให้ท่อเตาหลอมมีคุณสมบัติทางกลที่ดีเยี่ยม ทนทานต่อการเสียรูปและความเสียหาย

ตัวอย่างการใช้งาน:

การผลิตเซมิคอนดักเตอร์:การเจริญเติบโตแบบเอพิแท็กเซียของ SiC/GaN (MOCVD, HTCVD), เอพิแท็กเซียบนฐานซิลิคอน, การแพร่/ออกซิเดชัน/การอบชุบที่อุณหภูมิสูง (RTP) และ LPCVD

อุตสาหกรรมพลังงานแสงอาทิตย์:การแพร่กระจายที่อุณหภูมิสูง (การแพร่กระจายของฟอสฟอรัส/โบรอน) และการอบอ่อนของเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนผลึก