Anellu di grafite rivestitu di TaC

Descrizzione corta:

VET Energy si cuncentra nantu à a R&S è a pruduzzione d'anelli di grafite rivestiti di TaC. Utilizendu a tecnulugia CVD avanzata, chì rende u rivestimentu TaC di alta purezza, alta densità è spessore uniforme, pò evità efficacemente a contaminazione da impurità, pò funziunà stabilmente à temperature elevate superiori à 2500 ℃, è hà una forte tolleranza à una varietà di ambienti gassosi.

 

 

 


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VET Energy si cuncentra nantu à a R&S è a pruduzzione d'anelli di grafite rivestiti di carburo di tantalu (TaC) CVD d'altu rendimentu, è s'impegna à furnisce suluzioni di materiali di cunsumu fundamentali per l'industrie di semiconduttori, fotovoltaichi è à alta temperatura. A nostra tecnulugia di deposizione chimica da vapore (CVD) sviluppata indipindentamente forma un rivestimentu di carburo di tantalu densu è uniforme nantu à a superficia di u sustratu di grafite per mezu di prucessi di precisione, migliurendu significativamente a resistenza à alta temperatura (> 3000 ℃), a resistenza à a corrosione è a resistenza à i shock termichi di u pruduttu, allungendu a vita di serviziu di più di 3 volte è riducendu i costi cumpleti di i clienti.

I nostri vantaghji tecnichi:
1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura
In una atmosfera d'aria di 1200 ℃, a velocità di guadagnu di pesu di l'ossidazione hè ≤0,05 mg / cm² / h, chì hè più di 3 volte a durata di resistenza à l'ossidazione di a grafite ordinaria, è hè adatta per e cundizioni di u ciclu di riscaldamentu-raffreddamentu d'alta frequenza.
2. Resistenza à a corrosione di u siliciu / metallu fusu
U rivestimentu TaC hè estremamente inerte à i metalli cum'è u siliciu liquidu (1600 ℃), l'aluminiu / rame fusu, ecc., evitendu u fallimentu strutturale di l'anelli di guida tradiziunali per via di a penetrazione di u metallu, particularmente adattatu per i semiconduttori di putenza è a fabricazione di semiconduttori di terza generazione.
3. Cuntaminazione di particelle ultra-bassa
U prucessu CVD righjunghje una densità di rivestimentu di >99,5% è una rugosità superficiale di Ra≤0,2 μm, riducendu u risicu di spargimentu di particelle da a fonte è rispondendu à i rigorosi requisiti di pulizia di a fabricazione di wafer di 12 pollici.
4. Cuntrollu precisu di a taglia
Aduttendu a machinazione di precisione CNC, a tolleranza di dimensione di u substratu di grafite hè ± 0,01 mm, è a deformazione generale dopu u rivestimentu hè <± 5 μm, chì hè adatta per l'installazione in camere di apparecchiature di alta precisione.

Rivestimentu TaC15
Copertura rivestita di carburo di tantalu TaC per semiconduttori Immagine presentata

碳化钽涂层物理特性物理特性

Proprietà fisiche di TaC rivestimentu

密度/ Densità

14,3 (g/cm³)

比辐射率 / Emissività specifica

0.3

热膨胀系数 / Coefficiente di dilatazione termica

6.3 10-6/K

努氏硬度/ Durezza (HK)

2000 Hong Kong

电阻 / Resistenza

1×10-5 Ohm*cm

热稳定性 / Stabilità termica

<2500℃

石墨尺寸变化 / Cambiamenti di dimensione di grafite

-10~-20um

涂层厚度 / Spessore di u rivestimentu

Valore tipicu ≥30um (35um ± 10um)

 

Rivestimentu TaC
Rivestimentu TaC 3
Rivestimentu TaC 2

Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd hè una impresa high-tech chì si cuncentra nantu à u sviluppu è a pruduzzione di materiali avanzati di alta gamma, i materiali è a tecnulugia cumpresi grafite, carburo di siliciu, ceramica, trattamentu di superfici cum'è rivestimentu SiC, rivestimentu TaC, rivestimentu di carbone vetroso, rivestimentu di carbone piroliticu, ecc., Sti prudutti sò largamente usati in fotovoltaicu, semiconduttori, nova energia, metallurgia, ecc.

A nostra squadra tecnica vene da i migliori istituzioni di ricerca naziunali, è hà sviluppatu parechje tecnulugie brevettate per assicurà e prestazioni è a qualità di u produttu, pò ancu furnisce à i clienti suluzioni di materiali prufessiunali.

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