Mama o le Graphite ua ufiufiina i le TaC

E taula’i le VET Energy i le R&D ma le gaosiga o mama graphite ua ufiufi i le CVD tantalum carbide (TaC) e maualuga le faatinoga, ma ua tautino atu e tu’uina atu fofo autu mo mea e fa’aaogaina mo semiconductor, photovoltaic ma alamanuia e maualuga le vevela. O la matou tekinolosi tuto’atasi na atia’e o le chemical vapor deposition (CVD) e fausia ai se ufiufi tantalum carbide mafiafia ma tutusa i luga o le fogaeleele o le graphite substrate e ala i faiga sa’o, e fa’aleleia atili ai le tete’e atu o le oloa i le vevela maualuga (>3000℃), tete’e atu i le ele ma le tete’e atu i le te’i vevela, fa’alauteleina ai le umi o le tautua e sili atu ma le 3 taimi, ma fa’aitiitia ai tau atoa a tagata fa’atau.

O matou tulaga lelei fa'atekinolosi:
1. Tete'e atu i le fa'ama'i o le vevela maualuga
I le ea e 1200 ℃, o le fua faatatau o le faateleina o le mamafa o le oxidation e ≤0.05mg/cm²/h, lea e sili atu ma le 3 taimi le umi e tete'e atu ai i le oxidation o le graphite masani, ma e talafeagai mo tulaga maualuga o le taamilosaga o le fa'avevela ma le fa'amālūlūina.
2. Tete'e atu i le ele o le silicon/u'amea ua liusuavai
E matuā lē gaoioi le ufiufi TaC i u'amea e pei o le silicon vai (1600℃), alumini/kopa ua liusuavai, ma isi mea faapena, e 'alofia ai le fa'aletonu o le fausaga o mama ta'iala masani ona o le sosolo o le u'amea, e matuā talafeagai mo semiconductors eletise ma le gaosiga o semiconductor o le tupulaga lona tolu.
3. Fa'aleagaina o vaega laiti e matua maualalo lava
E ausia e le faiga CVD se mafiafia o le ufiufi e >99.5% ma le maaleale o le fogaeleele e Ra≤0.2μm, e faʻaitiitia ai le lamatiaga o le maligi o vaega mai le puna ma ausia ai manaʻoga malolosi o le mama o le gaosiga o le wafer e 12-inisi.
4. Puleaina lelei o le tele
I le faʻaaogaina o le CNC precision machining, o le tele o le gafatia o le graphite substrate e ±0.01mm, ma o le lautele o le deformation pe a uma ona ufiufi e <±5μm, lea e talafeagai mo le faʻapipiʻiina i totonu o potu meafaigaluega e maualuga le saʻo.