TaC लेपित ग्रेफाइट रिंग

वीईटी एनर्जी उच्च प्रदर्शन वाले सीवीडी टैंटलम कार्बाइड (टीएसी) लेपित ग्रेफाइट रिंग्स के अनुसंधान एवं विकास तथा उत्पादन पर ध्यान केंद्रित करती है, तथा सेमीकंडक्टर, फोटोवोल्टिक और उच्च तापमान उद्योगों के लिए मुख्य उपभोज्य सामग्री समाधान प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध है। हमारी स्वतंत्र रूप से विकसित रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) तकनीक सटीक प्रक्रियाओं के माध्यम से ग्रेफाइट सब्सट्रेट की सतह पर एक सघन और एकसमान टैंटलम कार्बाइड कोटिंग बनाती है, जो उत्पाद के उच्च तापमान प्रतिरोध (> 3000 डिग्री सेल्सियस), संक्षारण प्रतिरोध और थर्मल शॉक प्रतिरोध में उल्लेखनीय सुधार करती है, सेवा जीवन को 3 गुना से अधिक बढ़ाती है, तथा ग्राहकों की व्यापक लागत को कम करती है।

हमारे तकनीकी लाभ:
1. उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध
1200 डिग्री सेल्सियस के वायु वातावरण में, ऑक्सीकरण भार बढ़ने की दर ≤0.05 मिलीग्राम/सेमी²/घंटा है, जो साधारण ग्रेफाइट के ऑक्सीकरण प्रतिरोध जीवन से 3 गुना अधिक है, और उच्च आवृत्ति हीटिंग-कूलिंग चक्र स्थितियों के लिए उपयुक्त है।
2. पिघले हुए सिलिकॉन/धातु संक्षारण के प्रति प्रतिरोध
टीएसी कोटिंग तरल सिलिकॉन (1600 डिग्री सेल्सियस), पिघले हुए एल्यूमीनियम/तांबे आदि धातुओं के प्रति अत्यंत निष्क्रिय है, जो धातु प्रवेश के कारण पारंपरिक गाइड रिंगों की संरचनात्मक विफलता से बचाती है, विशेष रूप से पावर सेमीकंडक्टर और तीसरी पीढ़ी के सेमीकंडक्टर विनिर्माण के लिए उपयुक्त है।
3. अति-निम्न कण संदूषण
सीवीडी प्रक्रिया से कोटिंग घनत्व >99.5% तथा सतह खुरदरापन Ra≤0.2μm प्राप्त होता है, जिससे स्रोत से कणों के निकलने का जोखिम कम हो जाता है तथा 12-इंच वेफर विनिर्माण की कठोर स्वच्छता आवश्यकताओं को पूरा किया जाता है।
4. सटीक आकार नियंत्रण
सीएनसी परिशुद्धता मशीनिंग को अपनाने, ग्रेफाइट सब्सट्रेट का आकार सहिष्णुता ± 0.01 मिमी है, और कोटिंग के बाद समग्र विरूपण <± 5μm है, जो उच्च परिशुद्धता उपकरण कक्षों में स्थापना के लिए उपयुक्त है।