Singsing na Grapayt na Pinahiran ng TaC

Ang VET Energy ay nakatuon sa R&D at produksyon ng mga high-performance CVD tantalum carbide (TaC) coated graphite rings, at nakatuon sa pagbibigay ng mga pangunahing solusyon sa consumable material para sa mga industriya ng semiconductor, photovoltaic, at high-temperature. Ang aming independiyenteng binuong teknolohiya ng chemical vapor deposition (CVD) ay bumubuo ng isang siksik at pare-parehong tantalum carbide coating sa ibabaw ng graphite substrate sa pamamagitan ng mga prosesong may katumpakan, na makabuluhang nagpapabuti sa resistensya ng produkto sa mataas na temperatura (>3000℃), corrosion resistance, at thermal shock resistance, na nagpapahaba sa buhay ng serbisyo nang higit sa 3 beses, at binabawasan ang mga komprehensibong gastos ng mga customer.

Ang aming mga teknikal na bentahe:
1. Mataas na temperaturang resistensya sa oksihenasyon
Sa temperaturang 1200℃ sa atmospera ng hangin, ang bilis ng pagtaas ng timbang dahil sa oksihenasyon ay ≤0.05mg/cm²/h, na mahigit 3 beses ang tagal ng buhay na lumalaban sa oksihenasyon ng ordinaryong grapayt, at angkop para sa mga kondisyon ng high-frequency heating-cooling cycle.
2. Paglaban sa kalawang ng tinunaw na silicon/metal
Ang TaC coating ay lubhang hindi gumagalaw sa mga metal tulad ng likidong silicon (1600℃), tinunaw na aluminyo/tanso, atbp., na iniiwasan ang pagkasira ng istruktura ng mga tradisyonal na guide ring dahil sa pagtagos ng metal, lalo na angkop para sa mga power semiconductor at paggawa ng third-generation semiconductor.
3. Napakababang kontaminasyon ng partikulo
Nakakamit ng prosesong CVD ang densidad ng patong na >99.5% at ang pagkamagaspang sa ibabaw na Ra≤0.2μm, na binabawasan ang panganib ng pagkalat ng particle mula sa pinagmulan at natutugunan ang mahigpit na mga kinakailangan sa kalinisan ng paggawa ng 12-pulgadang wafer.
4. Tumpak na kontrol sa laki
Gamit ang CNC precision machining, ang tolerance sa laki ng graphite substrate ay ±0.01mm, at ang pangkalahatang deformation pagkatapos ng coating ay <±5μm, na angkop para sa pag-install sa mga high-precision equipment chamber.