टॅक लेपित ग्राफाइट रिंग

व्हीईटी एनर्जी उच्च-कार्यक्षम सीव्हीडी टँटलम कार्बाइड (TaC) लेपित ग्रॅफाइट रिंग्सच्या संशोधन आणि विकास (R&D) व उत्पादनावर लक्ष केंद्रित करते आणि सेमीकंडक्टर, फोटोव्होल्टेइक व उच्च-तापमान उद्योगांसाठी मुख्य उपभोग्य सामग्रीचे उपाय प्रदान करण्यास वचनबद्ध आहे. आमचे स्वतंत्रपणे विकसित केलेले केमिकल व्हेपर डिपॉझिशन (CVD) तंत्रज्ञान अचूक प्रक्रियेद्वारे ग्रॅफाइट सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर एक दाट आणि एकसमान टँटलम कार्बाइड लेप तयार करते, ज्यामुळे उत्पादनाची उच्च तापमान प्रतिरोधकता (>3000℃), गंज प्रतिरोधकता आणि थर्मल शॉक प्रतिरोधकता लक्षणीयरीत्या सुधारते, सेवा आयुष्य ३ पटींपेक्षा जास्त वाढते आणि ग्राहकांचा एकूण खर्च कमी होतो.

आमचे तांत्रिक फायदे:
१. उच्च तापमानातील ऑक्सिडेशनला प्रतिकार
1200℃ तापमानाच्या हवेच्या वातावरणात, ऑक्सिडेशनमुळे वजन वाढण्याचा दर ≤0.05mg/cm²/h आहे, जो सामान्य ग्रॅफाइटच्या ऑक्सिडेशन प्रतिरोधक आयुष्यापेक्षा 3 पटीने जास्त आहे आणि उच्च-वारंवारतेच्या उष्णता-थंड करण्याच्या चक्राच्या परिस्थितीसाठी योग्य आहे.
२. वितळलेल्या सिलिकॉन/धातूच्या क्षरणाला प्रतिकार
TaC कोटिंग हे द्रव सिलिकॉन (1600℃), वितळलेले ॲल्युमिनियम/तांबे इत्यादी धातूंसाठी अत्यंत निष्क्रिय आहे, ज्यामुळे धातूंच्या प्रवेशामुळे होणारे पारंपरिक गाइड रिंग्सचे संरचनात्मक अपयश टाळले जाते, आणि ते विशेषतः पॉवर सेमीकंडक्टर आणि तिसऱ्या पिढीच्या सेमीकंडक्टर उत्पादनासाठी योग्य आहे.
३. अत्यंत कमी कण प्रदूषण
CVD प्रक्रियेमुळे >99.5% कोटिंग घनता आणि Ra≤0.2μm पृष्ठभागाची खडबडपणा साध्य होते, ज्यामुळे स्रोतामधून कण गळण्याचा धोका कमी होतो आणि 12-इंच वेफर उत्पादनाच्या कडक स्वच्छतेच्या आवश्यकता पूर्ण होतात.
४. अचूक आकार नियंत्रण
सीएनसी प्रिसिजन मशिनिंगचा अवलंब केल्यामुळे, ग्राफाइट सबस्ट्रेटची आकार सहनशीलता ±0.01 मिमी आहे आणि कोटिंगनंतर एकूण विकृती <±5 μm आहे, जे उच्च-सुस्पष्टता उपकरण कक्षांमध्ये स्थापनेसाठी योग्य आहे.