Mandril de vacío de cerámica porosa avanzado
Mandril de vacío de cerámica porosaSe trata de una plataforma de soporte que utiliza el principio de adsorción por vacío para fijar las piezas. La parte del mandril de vacío que transmite el vacío es una placa cerámica porosa. Esta placa se ensambla en el orificio de la base, y su periferia se adhiere y sella a la misma. La base está fabricada con materiales cerámicos o metálicos de precisión. Al combinar una base metálica o cerámica con una cerámica porosa especial, el diseño del conducto interno de precisión permite una adhesión suave y estable de la pieza a la ventosa de vacío cuando se aplica presión negativa.
Gracias a los poros extremadamente finos de la cerámica porosa, la superficie de la pieza de trabajo se puede adherir a la ventosa de vacío sin que se produzcan factores adversos como arañazos o abolladuras causadas por la presión negativa.

Características del plato de vacío de cerámica porosa:
① Estructura densa y uniforme: Resiste la adsorción de polvo de silicio/residuos de molienda, fácil de limpiar.
② Alta resistencia y resistencia al desgaste: No se deforma durante el rectificado, lo que minimiza el astillamiento/fragmentación de los bordes.
③ Larga vida útil: Excelente retención de la forma de la superficie, ciclo de apósito prolongado con mínima eliminación.
④ Alto aislamiento: Elimina la electricidad estática.
⑤ Reutilizable y fácil de vestir: No se agrieta ni se descascara durante el reacondicionamiento, lo que permite su uso repetido.
⑥ Sin polvo y estable: Totalmente sinterizado, sin emisión de partículas.
⑦ Ligereza: Su estructura porosa reduce significativamente el peso.
⑧ Resistencia química: Personalizable para entornos corrosivos mediante el control del material/proceso.
Mandril de vacío de cerámica frente a ventosa metálica tradicional:
Plato de vacío cerámico en el campo de los semiconductores
Los soportes cerámicos de vacío sirven como herramientas de sujeción y transporte en la producción de obleas semiconductoras. Se caracterizan por su alta planitud y paralelismo, una estructura densa y uniforme, alta resistencia, buena permeabilidad al aire, fuerza de adsorción uniforme y facilidad de preparación. Estas características los hacen idóneos para procesos de fabricación de obleas semiconductoras como el adelgazamiento, el corte, el rectificado, la limpieza y la manipulación. Abordan eficazmente desafíos como la impresión de obleas, la ruptura electrostática de chips y la contaminación por partículas, logrando una calidad de procesamiento extremadamente alta para las obleas semiconductoras en aplicaciones prácticas.
Ficha técnica de materiales cerámicos
| Artículo | 95% de alúmina | Alúmina al 99% | zirconia | carburo de silicio | SilicioNitride | AluminioNitride |
| Color | blanco | Amarillo claro | blanco | negro | negro | gris |
| Densidad (g/cm³) | 3,7 g/cm³ | 3,9 g/cm³ | 6,02 g/cm³ | 3,2 g/cm³ | 3,25 g/cm³ | 3,2 g/cm³ |
| Absorción de agua | 0% | 0% | 0% | 0% | 0% | 0% |
| Dureza (HV) | 23.7 | 23.7 | 16.5 | 33 | 20 | - |
| Resistencia a la flexión (MPa) | 300 MPa | 400 MPa | 1100 MPa | 450 MPa | 800 MPa | 310 MPa |
| Resistencia a la compresión (MPa) | 2500 MPa | 2800 MPa | 3600 MPa | 2000 MPa | 2600 MPa | - |
| Módulo de elasticidad de Young | 300 GPa | 300 GPa | 320 GPa | 450 GPa | 290 GPa | 310~350 GPa |
| Coeficiente de Poisson | 0,23 | 0,23 | 0,25 | 0,14 | 0,24 | 0,24 |
| Conductividad térmica | 20 W/m°C | 32 W/m°C | 3 W/m°C | 50 W/m°C | 25 W/m°C | 150 W/m°C |
| Fuerza dieléctrica | 14 kV/mm | 14 kV/mm | 14 kV/mm | 14 kV/mm | 14 kV/mm | 14 kV/mm |
| Resistividad volumétrica (25℃) | >1014Ω·cm | >1014Ω·cm | >1014Ω·cm | >105Ω·cm | >1014Ω·cm | >1014Ω·cm |
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