Mandrino a vuoto in ceramica porosa avanzata
Mandrino a vuoto in ceramica porosaè una piattaforma portante che utilizza il principio dell'adsorbimento sotto vuoto per fissare i pezzi. La parte del mandrino a vuoto che trasmette il vuoto è una piastra in ceramica porosa. La piastra in ceramica porosa è assemblata nel foro di scavo della base e il suo perimetro è incollato e sigillato con la base. La base è realizzata in ceramica di precisione o materiali metallici. Combinando una base in metallo o ceramica con una speciale ceramica porosa, il design del condotto di ventilazione interno di precisione consente un'adesione fluida e stabile del pezzo alla ventosa a vuoto quando sottoposta a pressione negativa.
Grazie ai pori estremamente fini della ceramica porosa, la superficie del pezzo può aderire alla ventosa senza subire fattori indesiderati, quali graffi o ammaccature causati dalla pressione negativa.

Caratteristiche del mandrino sottovuoto in ceramica porosa:
① Struttura densa e uniforme: resiste all'assorbimento di polvere di silicio/detriti di macinazione, facile da pulire.
② Elevata resistenza e resistenza all'usura: nessuna deformazione durante la rettifica, riduce al minimo la scheggiatura/frammentazione dei bordi.
③ Lunga durata: eccellente mantenimento della forma della superficie, lungo ciclo di ravvivatura con rimozione minima.
④ Elevato isolamento: elimina l'elettricità statica.
⑤ Riutilizzabile e facile da applicare: nessuna crepa/scheggiatura durante la rigenerazione, riutilizzabile più volte.
⑥ Antipolvere e stabile: completamente sinterizzato, nessuna emissione di particelle.
⑦ Leggero: la struttura porosa riduce significativamente il peso.
⑧ Resistenza chimica: personalizzabile per ambienti corrosivi tramite controllo del materiale/processo.
Mandrino a vuoto in ceramica VS ventosa metallica tradizionale:
Mandrino a vuoto in ceramica nel campo dei semiconduttori
I mandrini a vuoto in ceramica fungono da strumenti di serraggio e trasporto nella produzione di wafer di semiconduttori. Presentano elevata planarità e parallelismo, una struttura densa e uniforme, elevata resistenza, buona permeabilità all'aria, forza di adsorbimento uniforme e facilità di ravvivatura. Queste caratteristiche li rendono adatti a processi di produzione di wafer di semiconduttori come assottigliamento, affettatura, rettifica, pulizia e manipolazione. Risolvono efficacemente problematiche come l'imprinting dei wafer, la degradazione elettrostatica dei chip e la contaminazione da particelle, ottenendo una qualità di lavorazione estremamente elevata per i wafer di semiconduttori nelle applicazioni pratiche.
Scheda tecnica dei materiali ceramici
| Articolo | 95% di allumina | 99% di allumina | Zirconia | carburo di silicio | SilicioNitride | AlluminioNitride |
| Colore | bianco | Giallo chiaro | bianco | nero | nero | grigio |
| Densità (g/cm3) | 3,7 g/cm3 | 3,9 g/cm3 | 6,02 g/cm3 | 3,2 g/cm3 | 3,25 g/cm3 | 3,2 g/cm3 |
| Assorbimento d'acqua | 0% | 0% | 0% | 0% | 0% | 0% |
| Durezza (HV) | 23.7 | 23.7 | 16.5 | 33 | 20 | - |
| Resistenza alla flessione (MPa) | 300 MPa | 400 MPa | 1100 MPa | 450 MPa | 800 MPa | 310 MPa |
| Resistenza alla compressione (MPa) | 2500 MPa | 2800 MPa | 3600 MPa | 2000 MPa | 2600 MPa | - |
| Modulo di elasticità di Young | 300 GPa | 300 GPa | 320 GPa | 450 GPa | 290 GPa | 310~350 GPa |
| Rapporto di Poisson | 0,23 | 0,23 | 0,25 | 0,14 | 0,24 | 0,24 |
| Conduttività termica | 20 W/m°C | 32W/m°C | 3W/m°C | 50 W/m°C | 25W/m°C | 150 W/m°C |
| Rigidità dielettrica | 14KV/mm | 14KV/mm | 14KV/mm | 14KV/mm | 14KV/mm | 14KV/mm |
| Resistività di volume (25℃) | >1014Ω·cm | >1014Ω·cm | >1014Ω·cm | >105Ω·cm | >1014Ω·cm | >1014Ω·cm |
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