Suporta sa PECVD Graphite Wafer

Mubo nga Deskripsyon:

Gidisenyo alang sa katukma ug performance, ang Graphite Wafer Support sa VET Energy mao ang sulundon nga materyal nga gamiton sa abante nga pagproseso sa wafer, diin ang taas nga thermal stability ug makanunayon nga performance hinungdanon. Nagtrabaho ka man gamit ang semiconductor wafers o uban pang delikado nga substrates, kini nga taas nga kalidad nga graphite support mopauswag sa kasaligan sa imong proseso ug kalidad sa produkto, nga maghimo niini nga usa ka kinahanglanon nga sangkap alang sa modernong paggama.

Padad-i kami og email I-download isip PDF

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Ang VET Energy PECVD process graphite wafer support usa ka kinauyokan nga consumable nga gidisenyo alang sa proseso sa PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition). Kini nga produkto hinimo sa taas nga kaputli, taas nga densidad nga graphite nga materyal, nga adunay maayo kaayo nga resistensya sa taas nga temperatura, resistensya sa kaagnasan, kalig-on sa dimensyon ug uban pang mga kinaiya, nga makahatag usa ka lig-on nga plataporma sa suporta alang sa proseso sa PECVD, aron masiguro ang pagkaparehas ug pagkapatag sa film deposition.

Ang disenyo nga "graphite support" sa VET Energy graphite wafer support dili lang epektibong makasuporta sa wafer, apan makahatag usab og thermal stability sa taas nga temperatura ug taas nga pressure nga palibot sa PECVD aron masiguro ang kalig-on sa proseso.

Ang suporta sa graphite wafer nga proseso sa VET Energy PECVD adunay mosunod nga mga kinaiya:

▪Taas nga kaputli:ubos kaayo nga sulud sa hugaw, likayi ang kontaminasyon sa pelikula, aron masiguro ang kalidad sa pelikula.

▪Taas nga densidad:taas nga densidad, taas nga mekanikal nga kusog, makasugakod sa taas nga temperatura ug taas nga presyur nga palibot sa PECVD.

▪Maayong kalig-on sa dimensyon:gagmay nga mga pagbag-o sa dimensyon sa taas nga temperatura aron masiguro ang kalig-on sa proseso.

▪Maayo kaayo nga thermal conductivity:epektibong mobalhin sa kainit aron malikayan ang sobrang kainit sa wafer.

▪Kusog nga resistensya sa kaagnasan:Makasukol sa pagbanlas sa nagkalain-laing makadaot nga mga gas ug plasma.

▪Gipasadya nga serbisyo:Ang mga lamesa sa suporta sa graphite nga lainlain ang gidak-on ug porma mahimong ipasibo sumala sa panginahanglan sa kustomer.

Materyal nga grapayt gikan sa SGL:

Kasagaran nga parametro: R6510
Indeks	Sumbanan sa pagsulay	Bili	Yunit
Kasagaran nga gidak-on sa lugas	ISO 13320	10	μm
Densidad sa kadaghanan	DIN IEC 60413/204	1.83	g/cm³
Bukas nga porosidad	DIN66133	10	%
Medium nga gidak-on sa lungag	DIN66133	1.8	μm
Pagkamabalhinon	DIN 51935	0.06	cm²/s
Katig-a sa Rockwell HR5/100	DIN IEC60413/303	90	HR
Piho nga resistensya sa kuryente	DIN IEC 60413/402	13	μΩm
Kusog sa pag-flex	DIN IEC 60413/501	60	MPa
Kusog sa pag-compress	DIN 51910	130	MPa
Modulus ni Young	DIN 51915	11.5×10³	MPa
Pagpalapad sa kainit (20-200 ℃)	DIN 51909	4.2X10^-6	K^-1
Konduktibidad sa kainit (20℃)	DIN 51908	105	Wm^-1K^-1

Kini espesipikong gidisenyo alang sa high-efficiency solar cell manufacturing, nga nagsuporta sa G12 large-size wafer processing. Ang na-optimize nga carrier design makapausbaw pag-ayo sa throughput, nga makapahimo sa mas taas nga yield rates ug mas ubos nga gasto sa produksiyon.

Butang	Matang	Numero sa wafer carrier
PEVCD Grephite nga sakayan - Ang seryeng 156	156-13 nga sakayan nga grephite	144
	156-19 nga sakayan nga grephite	216
	156-21 nga sakayan nga grephite	240
	156-23 nga sakayan nga grapayt	308
PEVCD Grephite nga sakayan - Ang serye sa 125	125-15 nga sakayan nga grephite	196
	125-19 nga sakayan nga grephite	252
	125-21 nga sakayan nga griphite	280