Singsing nga Graphite nga Giputos sa Tantalum Carbide nga Buho

Singsing nga Graphite nga Giputos sa Tantalum Carbide nga Buho
Grapiko nga giputos sa porous nga tantalum carbide (TaC)Ang TaC usa ka importanteng materyal nga espesipikong gihimo alang sa mga palibot nga taas og temperatura ug taas og corrosion sa paggama og semiconductor. Ang substrate niini kay high-purity isostatic graphite, nga gitabonan og uniformly porous tantalum carbide coating gamit ang chemical vapor deposition (CVD). Ang TaC adunay taas kaayong katig-a (9-10 sa Mohs scale) ug melting point nga 3880°C. Uban sa maayo kaayong thermal stability ug gaan nga mga kabtangan sa graphite, kini nga materyal naghiusa sa kusog sa taas nga temperatura uban sa resistensya sa chemical attack ug thermal shock, nga naghimo niini nga usa ka sulundon nga kapilian alang sa mga kagamitan sa proseso sa semiconductor nga naglihok ubos sa grabeng mga kondisyon.

Mga Bentaha sa Porous Tantalum Carbide Graphite:
1. Ultra-Taas nga Pagsukol sa Kaagnasan
-Ang TaC kay dili aktibo sa kemikal, epektibong nakasukol sa taya gikan sa mga halogen sama sa fluorine ug chlorine, nga nagpalugway pag-ayo sa kinabuhi sa kagamitan.
-Ang porous nga istruktura nagdugang sa gilapdon sa nawong sa coating, nga nagporma og mas lig-on nga panalipod nga babag ug nagpamenos sa risgo sa pagkahulog sa mga partikulo.
2. Maayo Kaayo nga Kalig-on sa Taas nga Temperatura
-Uban sa melting point nga hapit na sa 4000°C, kini maka-operate sa dugay nga panahon sa vacuum o inert atmospheres nga molapas sa 2500°C.
-Ang thermal expansion coefficient sa coating parehas kaayo sa graphite, nga nagpugong sa pagliki ug delamination nga gipahinabo sa thermal cycling.
3. Taas nga Kaputli ug Ubos nga Kontaminasyon
-Gamit ang semiconductor-grade nga hilaw nga materyales ug proseso, ang sulud sa hugaw sa metal ubos kaayo, nga nakapakunhod pag-ayo sa risgo sa kontaminasyon sa wafer.
-Ang nawong dasok ug lig-on sa kemikal, nga nagpamenos sa pagmugna og mga partikulo ug nakakab-ot sa estrikto nga mga sumbanan sa cleanroom.
4. Gidisenyo nga Gidisenyo
Mahimong himoon ang mga komplikadong porma sumala sa mga drowing sa kustomer, ug ang porosity ug gibag-on sa coating mahimong makontrol aron makab-ot ang labing maayo nga pag-agos sa gas ug thermal conductivity.
5. Taas nga Kinabuhi ug Ubos nga Gasto sa Pagmentinar
Ang taas kaayong resistensya sa taya ug pagkaguba sa porous nga TaC coatings nagdugang sa kinabuhi sa component og 3-5 ka pilo kon itandi sa tradisyonal nga graphite, nga nagpamenos sa frequency sa pag-ilis ug gasto sa pagmentinar.

Pangunang mga Aplikasyon
1. Mga pangunang sangkap para sa paggama og wafer
- Mga liner sa reaction chamber, baffle, ug shower-head para sa mga kagamitan sa CVD/ALD
- Mga suporta sa target sa PVD
- Mga sangkap sa proseso nga taas og temperatura para sa pagsabwag, oksihenasyon, pagpainit, ug uban pang mga proseso
2. Mga sistema sa pagdeposito sa kemikal nga alisngaw
- Pagpanalipod sa mga importanteng sangkap sa mga palibot nga daling madaot (sama sa fluorides ug chlorides) atol sa proseso
3. Uban pang mga palibot nga makadaot sa taas nga temperatura
- Haom para sa pagputli sa kemikal nga gas, espesyal nga mga hurno sa pagtambal sa kainit, ug uban pang mga aplikasyon.