အပေါက်များသော Tantalum Carbide ဖြင့်ဖုံးအုပ်ထားသော Graphite Ring

အပေါက်များသော Tantalum Carbide ဖြင့်ဖုံးအုပ်ထားသော Graphite Ring
စိမ့်ဝင်နိုင်သော တန္တလမ်ကာဗိုက် (TaC) ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်း၏ အပူချိန်မြင့်မားပြီး အလွန်ချေးလွယ်သောပတ်ဝန်းကျင်များအတွက် အထူးတီထွင်ထားသော အဓိကပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏အောက်ခံမှာ မြင့်မားသောသန့်စင်မှု isostatic graphite ဖြစ်ပြီး chemical vapor deposition (CVD) ကို အသုံးပြု၍ uniformly porous tantalum carbide coating ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ TaC တွင် အလွန်မြင့်မားသော မာကျောမှု (Mohs scale တွင် 9-10) နှင့် 3880°C ၏ အရည်ပျော်မှတ်ရှိသည်။ ဂရပ်ဖိုက်၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုနှင့် အလေးချိန်ပေါ့ပါးသောဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော ဤပစ္စည်းသည် အပူချိန်မြင့်မားသောအစွမ်းသတ္တိနှင့် ဓာတုတိုက်ခိုက်မှုနှင့် အပူရှော့ခ်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိမှုကို ပေါင်းစပ်ထားသောကြောင့် အလွန်အမင်းအခြေအနေများအောက်တွင် လည်ပတ်နေသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် အကောင်းဆုံးရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။

Porous Tantalum Carbide Graphite ၏ အားသာချက်များ:
၁။ အလွန်မြင့်မားသော ချေးခံနိုင်ရည်ရှိမှု
-TaC သည် ဓာတုဗေဒအရ အစွမ်းမဲ့ပြီး ဖလိုရင်းနှင့် ကလိုရင်းကဲ့သို့သော ဟေလိုဂျင်များမှ ချေးခြင်းကို ထိရောက်စွာ ခုခံနိုင်သောကြောင့် စက်ပစ္စည်း၏ သက်တမ်းကို သိသိသာသာ ရှည်ကြာစေပါသည်။
- အပေါက်များသောဖွဲ့စည်းပုံသည် အပေါ်ယံလွှာ၏ မျက်နှာပြင်ဧရိယာကို တိုးစေပြီး၊ ပိုမိုခိုင်မာသော အကာအကွယ်အတားအဆီးကို ဖန်တီးပေးပြီး အမှုန်အမွှားများ လွင့်စင်ခြင်းအန္တရာယ်ကို လျှော့ချပေးသည်။
၂။ အပူချိန်မြင့်မားမှုတွင် တည်ငြိမ်မှု အလွန်ကောင်းမွန်သည်
- အရည်ပျော်မှတ် ၄၀၀၀°C အနီးတွင်ရှိသောကြောင့် ၎င်းသည် လေဟာနယ် သို့မဟုတ် ၂၅၀၀°C ထက်ကျော်လွန်သော အစွမ်းမဲ့လေထုတွင် ကြာရှည်စွာ လည်ပတ်နိုင်သည်။
- အပေါ်ယံလွှာ၏ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းသည် ဂရပ်ဖိုက်နှင့် အလွန်ကိုက်ညီပြီး အပူလည်ပတ်မှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော အက်ကွဲခြင်းနှင့် ပြိုကွဲခြင်းကို ကာကွယ်ပေးသည်။
၃။ သန့်စင်မှုမြင့်မားပြီး ညစ်ညမ်းမှုနည်းပါးခြင်း
- တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဆင့် ကုန်ကြမ်းများနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်များကို အသုံးပြုထားသောကြောင့် သတ္တုမသန့်စင်မှုပါဝင်မှု အလွန်နည်းပါးပြီး ဝေဖာညစ်ညမ်းမှုအန္တရာယ်ကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးပါသည်။
-မျက်နှာပြင်သည် သိပ်သည်းပြီး ဓာတုဗေဒအရ တည်ငြိမ်သောကြောင့် အမှုန်အမွှားများ ဖြစ်ပေါ်မှုကို လျော့ကျစေပြီး တင်းကျပ်သော သန့်ရှင်းရေးအခန်း စံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။
၄။ စိတ်ကြိုက်ဒီဇိုင်း
ရှုပ်ထွေးသောပုံသဏ္ဍာန်များကို ဖောက်သည်၏ပုံဆွဲများအရ ထုတ်လုပ်နိုင်ပြီး အကောင်းဆုံးဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုနှင့် အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းကို ရရှိရန် porosity နှင့် coating thickness ကို ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။
၅။ သက်တမ်းရှည်ကြာပြီး ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု ကုန်ကျစရိတ် နည်းပါးခြင်း
အပေါက်များသော TaC အပေါ်ယံလွှာများ၏ အလွန်မြင့်မားသော ချေးခြင်းနှင့် ပွန်းပဲ့ခြင်းခံနိုင်ရည်သည် ရိုးရာဂရပ်ဖိုက်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အစိတ်အပိုင်းသက်တမ်းကို ၃-၅ ဆ တိုးစေပြီး အစားထိုးကြိမ်နှုန်းနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချပေးသည်။

အဓိကအသုံးချမှုများ
၁။ ဝေဖာထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အဓိကအစိတ်အပိုင်းများ
- CVD/ALD ပစ္စည်းကိရိယာများအတွက် တုံ့ပြန်မှုခန်းအတွင်းခံများ၊ ဘန်ဖယ်များနှင့် ရေချိုးခန်းခေါင်း
- PVD ပစ်မှတ်ပံ့ပိုးမှုများ
- ပျံ့နှံ့ခြင်း၊ အောက်ဆီဒေးရှင်း၊ အပူပေးခြင်းနှင့် အခြားလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် အပူချိန်မြင့် လုပ်ငန်းစဉ် အစိတ်အပိုင်းများ
၂။ ဓာတုအငွေ့စုပုံစနစ်များ
- လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အလွန်အမင်း ချေးတက်သောပတ်ဝန်းကျင်များ (ဥပမာ ဖလိုရိုက်နှင့် ကလိုရိုက်များ) တွင် အဓိကအစိတ်အပိုင်းများကို ကာကွယ်ပေးခြင်း
၃။ အခြား အပူချိန်မြင့် ချေးတက်နိုင်သော ပတ်ဝန်းကျင်များ
- ဓာတုဓာတ်ငွေ့သန့်စင်ခြင်း၊ အထူးပြုအပူပေးမီးဖိုများနှင့် အခြားအသုံးချမှုများအတွက် သင့်လျော်သည်။