Parte a mezzaluna in grafite rivestita in SiCÈ un componente chiave utilizzato nei processi di produzione di semiconduttori, in particolare per le apparecchiature epitassiali in SiC. Utilizziamo la nostra tecnologia brevettata per realizzare il componente a mezzaluna con una purezza estremamente elevata, una buona uniformità del rivestimento e un'eccellente durata, oltre a elevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.
Materiale di base: grafite ad elevata purezza
Requisiti di purezza:Contenuto di carbonio ≥99,99%, contenuto di ceneri ≤5 ppm, per garantire che non si formino impurità che possano contaminare lo strato epitassiale ad alte temperature.
Vantaggi in termini di prestazioni:
Elevata conduttività termica:La conduttività termica a temperatura ambiente raggiunge i 150 W/(m・K), un valore vicino a quello del rame, e consente un rapido trasferimento di calore.
Coefficiente di espansione basso:5×10-6/℃ (25-1000℃), corrispondente al substrato di carburo di silicio (4,2×10-6/℃), riducendo la fessurazione del rivestimento causata dallo stress termico.
Precisione di elaborazione:Grazie alla lavorazione CNC, si ottiene una tolleranza dimensionale di ±0,05 mm che garantisce la tenuta della camera.
Applicazioni differenziate di SiC CVD e TaC CVD
| Rivestimento | Processo | Confronto | Applicazione tipica |
| CVD-SiC | Temperatura: 1000-1200℃ Pressione: 10-100 Torr | Durezza HV2500, spessore 50-100 µm, eccellente resistenza all'ossidazione (stabile al di sotto di 1600℃) | Forni epitassiali universali, adatti ad atmosfere convenzionali come idrogeno e silano. |
| CVD-TaC | Temperatura: 1600-1800℃ Pressione: 1-10 Torr | Durezza HV3000, spessore 20-50 µm, estremamente resistente alla corrosione (può resistere a gas corrosivi come HCl, NH₃, ecc.). | Ambienti altamente corrosivi (come le apparecchiature per l'epitassia e l'incisione del GaN) o processi speciali che richiedono temperature ultra elevate di 2600 °C. |
Controllo qualità
Spessore del rivestimento: misuratore di spessore laser (precisione ±1 µm) o analisi della sezione trasversale al microscopio elettronico a scansione (SEM).
Resistenza dell'adesione: test di graffio (carico critico > 50 N) o test a ultrasuoni (velocità del suono > 5000 m/s).
Resistenza alla corrosione: velocità di perdita di massa (<0,1 mg/cm²・h) testata in atmosfera di HCl (5% in volume, 1600℃).
VET Energy è un produttore professionale specializzato nella ricerca e sviluppo e nella produzione di materiali avanzati di alta gamma come grafite, carburo di silicio, quarzo, nonché nel trattamento dei materiali come rivestimenti in SiC, rivestimenti in TaC, rivestimenti in carbonio vetroso, rivestimenti in carbonio pirolitico, ecc. I prodotti sono ampiamente utilizzati nei settori del fotovoltaico, dei semiconduttori, delle nuove energie, della metallurgia, ecc.
Il nostro team tecnico, composto da professionisti provenienti dai migliori istituti di ricerca nazionali, è in grado di offrirvi soluzioni più professionali in termini di materiali.
I vantaggi di VE Energy includono:
• Stabilimento di proprietà e laboratorio professionale;
• Livelli di purezza e qualità leader del settore;
• Prezzo competitivo e tempi di consegna rapidi;
• Molteplici collaborazioni industriali in tutto il mondo;
Vi invitiamo a visitare la nostra fabbrica e il nostro laboratorio in qualsiasi momento!
-
Parte a mezzaluna con rivestimento in carburo di tantalio
-
Anello in grafite rivestito in TaC
-
Suscettore wafer con rivestimento in carburo di tantalio
-
Anello rivestito in carburo di tantalio superduro
-
Produttore di coperchi in grafite rivestiti in TaC
-
Anelli guida con rivestimento in carburo di tantalio








