Parte a mezzaluna in grafite rivestita in SiC per forno epitassiale in carburo di silicio

Parte a mezzaluna in grafite rivestita in SiCÈ un componente chiave utilizzato nei processi di produzione di semiconduttori, in particolare per le apparecchiature epitassiali in SiC. Utilizziamo la nostra tecnologia brevettata per realizzare la parte a mezzaluna con purezza estremamente elevata, buona uniformità di rivestimento e un'eccellente durata, oltre a elevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.

Materiale di base: grafite ad alta purezza
Requisiti di purezza:contenuto di carbonio ≥99,99%, contenuto di ceneri ≤5 ppm, per garantire che nessuna impurità precipiti e contamini lo strato epitassiale ad alte temperature.
Vantaggi in termini di prestazioni:
Elevata conduttività termica:La conduttività termica a temperatura ambiente raggiunge i 150 W/(m・K), valore prossimo a quello del rame, e consente di trasferire rapidamente il calore.
Basso coefficiente di dilatazione:5×10^-6/℃ (25-1000℃), corrispondente al substrato di carburo di silicio (4,2×10^-6/℃), riducendo la formazione di crepe nel rivestimento causate dallo stress termico.
Precisione di elaborazione:Grazie alla lavorazione CNC si ottiene una tolleranza dimensionale di ±0,05 mm per garantire la sigillatura della camera.

Applicazioni differenziate di CVD SiC e CVD TaC

Controllo di qualità

Spessore del rivestimento: misuratore di spessore laser (precisione ±1 µm) o analisi trasversale SEM.
Resistenza all'adesione: test di graffio (carico critico > 50 N) o test ultrasonico (velocità del suono > 5000 m/s).
Resistenza alla corrosione: tasso di perdita di massa (<0,1 mg/cm²・h) testato in atmosfera di HCl (5 vol%, 1600℃).