SiC Coated Graphite Halfmoon Part ສໍາລັບ Silicon Carbide Epitaxial Furnace

ລາຍ​ລະ​ອຽດ​ສັ້ນ​:

ພະລັງງານ VET ແມ່ນຜູ້ຜະລິດມືອາຊີບແລະຜູ້ສະຫນອງອົງປະກອບຫຼັກຂອງເຕົາເຜົາ silicon carbide epitaxial. ສ່ວນ SiC coated graphite halfmoon ຂອງພວກເຮົາໃຊ້ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງສົມທົບກັບເຕັກໂນໂລຊີການເຄືອບ CVD ກ້າວຫນ້າ. ມັນຖືກອອກແບບມາສໍາລັບສະພາບແວດລ້ອມ epitaxial ທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງແລະມີ corrosive ສູງ. graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງເຮັດໃຫ້ອົງປະກອບທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີເລີດ (> 1600 ℃) ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນ, ຮັບປະກັນຄວາມສອດຄ່ອງຂອງພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ; ການເຄືອບ CVD ປະກອບເປັນຊັ້ນປ້ອງກັນຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພື້ນຜິວໂດຍຜ່ານເຕັກໂນໂລຢີ CVD, ປັບປຸງຄຸນສົມບັດຕ້ານການຜຸພັງແລະຕ້ານການ etching ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ແລະຍືດອາຍຸການບໍລິການຫຼາຍກວ່າ 3 ເທົ່າ.

 

 

 


  • ວັດສະດຸ:graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງ
  • ການຊໍາລະລ້າງ:<5ppm
  • ການເຄືອບ:CVD-SiC ຫຼື CVD-TaC
  • ການປັບແຕ່ງ:ຖ່ານກ້ອນ furnace ຫຼື OEM
  • ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

    ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

    SiC Coated Graphite Halfmoon Partເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນທີ່ໃຊ້ໃນຂະບວນການຜະລິດ semiconductor, ໂດຍສະເພາະສໍາລັບອຸປະກອນ SiC epitaxial. ພວກເຮົາໃຊ້ເທກໂນໂລຍີທີ່ໄດ້ຮັບສິດທິບັດຂອງພວກເຮົາເພື່ອເຮັດໃຫ້ສ່ວນຫນຶ່ງຂອງ halfmoon ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງການເຄືອບທີ່ດີແລະຊີວິດການບໍລິການທີ່ດີເລີດ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບຄວາມທົນທານຕໍ່ສານເຄມີສູງແລະຄຸນສົມບັດສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນ.

    ວັດສະດຸພື້ນຖານ: graphite ຄວາມບໍລິສຸດສູງ
    ຄວາມຕ້ອງການຄວາມບໍລິສຸດ:ເນື້ອໃນກາກບອນ≥99.99%, ເນື້ອໃນຂີ້ເທົ່າ≤5ppm, ເພື່ອຮັບປະກັນວ່າບໍ່ມີ impurities precipitated ປົນເປື້ອນຊັ້ນ epitaxial ໃນອຸນຫະພູມສູງ.
    ຂໍ້​ດີ​ການ​ປະ​ຕິ​ບັດ​:
    ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ:ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຄວາມ​ຮ້ອນ​ໃນ​ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ຫ້ອງ​ສູງ​ເຖິງ 150W / (m​·K​)​, ຊຶ່ງ​ໃກ້​ກັບ​ລະ​ດັບ​ຂອງ​ທອງ​ແດງ​ແລະ​ສາ​ມາດ​ໂອນ​ຄວາມ​ຮ້ອນ​ໄດ້​ຢ່າງ​ວ່ອງ​ໄວ​.
    ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວຕ່ໍາ:5×10-6/ ℃ (25-1000 ℃), ຈັບຄູ່ substrate ຊິລິຄອນ carbide (4.2 × 10.-6/ ℃), ຫຼຸດຜ່ອນຮອຍແຕກຂອງການເຄືອບທີ່ເກີດຈາກຄວາມກົດດັນຄວາມຮ້ອນ.
    ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງການປະມວນຜົນ:ຄວາມທົນທານໃນມິຕິລະດັບຂອງ ± 0.05mm ແມ່ນບັນລຸໄດ້ໂດຍຜ່ານເຄື່ອງຈັກ CNC ເພື່ອຮັບປະກັນການຜະນຶກຂອງຫ້ອງ.

    ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງ CVD SiC ແລະ CVD TaC

    ການເຄືອບ

    ຂະບວນການ

    ການປຽບທຽບ

    ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປ

    CVD-SiC ອຸນຫະພູມ: 1000-1200 ℃ ຄວາມກົດດັນ: 10-100 Torr ຄວາມແຂງ HV2500, ຄວາມຫນາ 50-100um, ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງທີ່ດີເລີດ (ຄວາມຫມັ້ນຄົງຕ່ໍາກວ່າ 1600 ℃) furnaces epitaxial ທົ່ວໄປ, ເຫມາະສໍາລັບບັນຍາກາດທໍາມະດາເຊັ່ນ: hydrogen ແລະ silane
    CVD-TaC ອຸນຫະພູມ: 1600-1800 ℃ ຄວາມກົດດັນ: 1-10 Torr ຄວາມແຂງ HV3000, ຄວາມຫນາ 20-50um, ທົນທານຕໍ່ corrosion ທີ່ສຸດ (ສາມາດທົນທານຕໍ່ທາດອາຍຜິດ corrosive ເຊັ່ນ HCl, NH₃, ແລະອື່ນໆ). ສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີ corrosive ສູງ (ເຊັ່ນ: GaN epitaxy ແລະອຸປະກອນ etching), ຫຼືຂະບວນການພິເສດທີ່ຕ້ອງການອຸນຫະພູມສູງສຸດຂອງ 2600 ° C.

    ການກວດກາຄຸນນະພາບ

    ຄວາມຫນາຂອງການເຄືອບ: ເຄື່ອງວັດແທກຄວາມຫນາຂອງເລເຊີ (ຄວາມຖືກຕ້ອງ ± 1um) ຫຼື SEM ການວິເຄາະທາງຂວາງ.
    ຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງພັນທະບັດ: ການທົດສອບຮອຍຂີດຂ່ວນ (ການໂຫຼດທີ່ສໍາຄັນ> 50N) ຫຼືການທົດສອບ ultrasonic (ຄວາມໄວສຽງ> 5000m/s).
    ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ: ອັດຕາການສູນເສຍມະຫາຊົນ (<0.1 mg/cm²・h) ທົດສອບໃນບັນຍາກາດ HCl (5 vol%, 1600 ℃).

    VET Energy Graphite

    2

    3

    VET Energy ເປັນຜູ້ຜະລິດມືອາຊີບທີ່ສຸມໃສ່ R&D ແລະການຜະລິດວັດສະດຸຂັ້ນສູງເຊັ່ນ graphite, silicon carbide, quartz, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບການປິ່ນປົວວັດສະດຸເຊັ່ນ: ການເຄືອບ SiC, ການເຄືອບ TaC, ເຄືອບແກ້ວແກ້ວ, ການເຄືອບຄາບອນ pyrolytic, ແລະອື່ນໆ. ຜະລິດຕະພັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນ photovoltaic, semiconductor, ພະລັງງານໃຫມ່, metalclurgy.

    ທີມງານດ້ານວິຊາການຂອງພວກເຮົາມາຈາກສະຖາບັນຄົ້ນຄ້ວາພາຍໃນປະເທດຊັ້ນນໍາ, ສາມາດສະຫນອງການແກ້ໄຂອຸປະກອນການເປັນມືອາຊີບຫຼາຍສໍາລັບທ່ານ.

    ຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງພະລັງງານ VET ປະກອບມີ:
    •ໂຮງງານຂອງຕົນເອງແລະຫ້ອງທົດລອງມືອາຊີບ;
    •ລະດັບຄວາມບໍລິສຸດຊັ້ນນໍາໃນອຸດສາຫະກໍາແລະຄຸນນະພາບ;
    •ລາຄາທີ່ແຂ່ງຂັນ & ເວລາການຈັດສົ່ງໄວ;
    • ການຮ່ວມມືຫຼາຍດ້ານອຸດສາຫະກໍາທົ່ວໂລກ;

    ພວກເຮົາຍິນດີຕ້ອນຮັບທ່ານໄປຢ້ຽມຢາມໂຮງງານແລະຫ້ອງທົດລອງຂອງພວກເຮົາໄດ້ທຸກເວລາ!

    研发团队

    公司客户


  • ທີ່ຜ່ານມາ:
  • ຕໍ່ໄປ:

  • WhatsApp ສົນທະນາອອນໄລນ໌!