Қисми ниммоҳаи графити SiC Камушки барои кӯраи эпитаксиалии карбиди кремний

Қисми ниммоҳаи Графити SiC барои оташдонҳои кремнийи карбиди эпитаксиалӣ тасвири тавсифшуда

Тавсифи кӯтоҳ:

VET Energy як истеҳсолкунандаи касбӣ ва таъминкунандаи ҷузъҳои асосии печҳои эпитаксиалии карбиди кремний мебошад. Қисми ниммоҳаи графити SiC-и мо графити тозаи баландро дар якҷоягӣ бо технологияи пешрафтаи пӯшиши CVD истифода мебарад. Он барои муҳити эпитаксиалии ҳарорати баланд ва зангзананда пешбинӣ шудааст. Графити тозаи баланд ба ҷузъ муқовимати аълои ҳарорати баланд (>1600 ℃) ва устувории гармиро медиҳад, ки якрангии майдони гармиро таъмин мекунад; рӯйпӯши CVD тавассути технологияи CVD дар рӯи замин як қабати зиччи муҳофизатиро ташкил медиҳад, ки хосиятҳои зиддиоксидшавӣ ва зидди etchingро ба таври назаррас беҳтар мекунад ва мӯҳлати хидматро беш аз 3 маротиба дароз мекунад.

Мавод:Графити тозагии баланд

Тозакунӣ:＜5ppm

Пӯшидани:CVD-SiC ё CVD-TaC

Мутобиқсозӣ:Бренд печи ё OEM

Ба мо почтаи электронӣ фиристед Ҳамчун PDF зеркашӣ кунед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Қисми ниммоҳаи графити SiC Капшудаҷузъи калидӣ мебошад, ки дар равандҳои истеҳсоли нимноқилҳо, махсусан барои таҷҳизоти эпитаксиалии SiC истифода мешавад. Мо технологияи патентии худро барои сохтани қисми ниммоҳ бо тозагии бениҳоят баланд, якрангии хуби пӯшиш ва мӯҳлати хизмати аъло, инчунин муқовимати баланди кимиёвӣ ва хосиятҳои устувории гармиро истифода мебарем.

Маводи асосӣ: графити тозагии баланд
Талаботи тозагӣ:мазмуни карбон ≥99,99%, мазмуни хокистар ≤5ppm, то кафолат додани он, ки ҳеҷ гуна ифлосиҳо барои ифлос кардани қабати эпитаксиалӣ дар ҳарорати баланд таҳшин нашаванд.
Афзалиятҳои иҷро:
Қобилияти гармидиҳии баланд:Қобилияти гармидиҳӣ дар ҳарорати хонагӣ ба 150 Вт/(м・К) мерасад, ки ба сатҳи мис наздик аст ва метавонад гармиро зуд интиқол диҳад.
Коэффисиенти пасти васеъшавӣ:5×10^-6/ ℃ (25-1000 ℃), мувофиқ ба субстрати карбиди кремний (4,2 × 10)^-6/℃), кам кардани кафидани пӯшиш, ки аз фишори гармӣ ба вуҷуд омадааст.
Аниқии коркард:Таҳаммулпазирии андозагирии ± 0.05мм тавассути коркарди CNC барои таъмини мӯҳри камера ба даст оварда мешавад.

Барномаҳои дифференсионии CVD SiC ва CVD TaC

Пӯшидани	Раванд	Муқоиса	Аризаи маъмулӣ
CVD-SiC	Ҳарорат: 1000-1200℃Фишор: 10-100 Torr	Сахтии HV2500, ғафсӣ 50-100um, муқовимати аълои оксидшавӣ (аз 1600 ℃ мӯътадил)	Печҳои универсалии эпитаксиалӣ, ки барои атмосфераҳои муқаррарӣ ба монанди гидроген ва силан мувофиқанд
CVD-TaC	Ҳарорат: 1600-1800℃Фишор: 1-10 Торр	Сахтии HV3000, ғафсӣ 20-50um, бениҳоят ба зангзанӣ тобовар (метавонад ба газҳои зангзананда ба монанди HCl, NH₃ ва ғайра тобовар бошад)	Муҳитҳои хеле зангзананда (ба монанди таҷҳизоти GaN epitaxy ва etching) ё равандҳои махсусе, ки ҳарорати хеле баланди 2600 ° C-ро талаб мекунанд

Санҷиши сифат

Ғафсии молидани: ченаки ғафсии лазерӣ (дақиқӣ ± 1um) ё таҳлили буришҳои SEM.
Қувваи пайвастшавӣ: санҷиши харошидан (сарбории интиқодӣ> 50N) ё санҷиши ултрасадо (суръати садо > 5000м/с).
Муқовимат ба зангзанӣ: суръати талафоти масса (<0,1 мг/см²・соат) дар атмосфераи HCl (5 ҳаҷм, 1600℃) озмуда шудааст.

VET Energy як истеҳсолкунандаи касбӣ мебошад, ки ба R&D ва истеҳсоли маводи пешрафтаи баландсифат, аз қабили графит, карбиди кремний, кварц, инчунин коркарди моддӣ ба монанди молидани SiC, молидани TaC, молидани карбон шишагин, молидани карбон пиролитикӣ ва ғайра равона карда шудааст.

Гурӯҳи техникии мо аз муассисаҳои олии тадқиқотии ватанӣ меояд, метавонад барои шумо ҳалли бештари моддиро пешниҳод кунад.

Афзалиятҳои VET Energy дар бар мегиранд:
• Корхонаи худ ва лабораторияи касбӣ;
• Сатҳи тозагӣ ва сифати пешбари саноат;
• Нархи рақобат & вақти расонидани Fast;
• Шарикиҳои сершумори соҳавӣ дар саросари ҷаҳон;

Мо шуморо хуш омадед, ки дар вақти дилхоҳ ба корхона ва лабораторияи мо ташриф оред!