ڪسٽمائيز ٿيل سي آءِ سي ڪوٽيڊ بيرل سسپيٽر

بيرل سسپيٽراهو سيمي ڪنڊڪٽر ايپيٽيڪسيل واڌ جي عملن جهڙوڪ MOCVD، MBE، CVD ۾ هڪ بنيادي جزو آهي. اهو بنيادي طور تي تيز گرمي پد جي رد عمل چيمبرن ۾ ويفر کڻڻ ۽ هڪجهڙائي ۽ مستحڪم حرارتي ميدان ماحول فراهم ڪرڻ لاءِ استعمال ڪيو ويندو آهي ته جيئن ايپيٽيڪسيل پرتن (جهڙوڪ GaN، SiC، وغيره) جي صحيح جمع کي يقيني بڻائي سگهجي. ان جو بنيادي ڪم صحيح حرارتي ميدان ڪنٽرول ذريعي ويفر جي مٿاڇري جي گرمي پد جي اعلي هڪجهڙائي حاصل ڪرڻ آهي، انهي ڪري ايپيٽيڪسيل پتلي فلمن جي ٿلهي، ڊوپنگ ڪنسنٽريشن، ۽ ڪرسٽل ڍانچي جي هڪجهڙائي کي يقيني بڻايو وڃي.

اسان پنهنجي پيٽنٽ ٿيل ٽيڪنالاجي استعمال ڪندا آهيون ته جيئنبيرل سسپيٽرانتهائي اعليٰ پاڪائي، سٺي ڪوٽنگ جي هڪجهڙائي ۽ بهترين سروس لائف، انهي سان گڏ اعليٰ ڪيميائي مزاحمت ۽ حرارتي استحڪام جي خاصيتن سان.

VET توانائي ڪيميائي استحڪام کي وڌائڻ لاءِ CVD-SiC ڪوٽنگ سان اعليٰ پاڪائي وارو گريفائٽ استعمال ڪري ٿي:

1. اعليٰ پاڪائي وارو گريفائيٽ مواد
اعليٰ حرارتي چالکائي: گريفائٽ جي حرارتي چالکائي سلڪون جي ڀيٽ ۾ ٽي ڀيرا آهي، جيڪا جلدي گرمي کي حرارتي ذريعن کان ويفر ڏانهن منتقل ڪري سگهي ٿي ۽ گرمي جو وقت گهٽائي سگهي ٿي.
مشيني طاقت: آئسوسٽٽڪ پريشر گريفائيٽ کثافت ≥ 1.85 گرام/سينٽي ميٽر ³، 1200 ℃ کان مٿي گرمي پد کي بغير ڪنهن خرابي جي برداشت ڪرڻ جي قابل.

2. سي وي ڊي سي سي ڪوٽنگ
گريفائٽ جي مٿاڇري تي ڪيميائي بخارات جي جمع (CVD) ذريعي هڪ β - SiC پرت ٺهيل آهي، جنهن جي پاڪائي ≥ 99.99995٪ آهي، ڪوٽنگ جي ٿولهه جي هڪجهڙائي جي غلطي ±5٪ کان گهٽ آهي، ۽ مٿاڇري جي خرابي Ra0.5um کان گهٽ آهي.

3. ڪارڪردگي بهتري:
سنکنرن جي مزاحمت: Cl2، HCl، وغيره جهڙين تيز سنکنرن گيسن کي برداشت ڪري سگهي ٿو، NH3 ماحول ۾ GaN ايپيٽيڪسي جي عمر ٽي ڀيرا وڌائي سگھي ٿو.
حرارتي استحڪام: حرارتي توسيع جو ڪوئفيشيٽ (4.5 × 10-6/℃) گريفائٽ سان ملندو آهي ته جيئن گرمي پد جي اتار چڙهاؤ جي ڪري ڪوٽنگ جي ڀڃڻ کان بچي سگهجي.
سختي ۽ لباس جي مزاحمت: وِڪرز جي سختي 28 GPa تائين پهچي ٿي، جيڪا گريفائٽ کان 10 ڀيرا وڌيڪ آهي ۽ ويفر اسڪريچز جي خطري کي گهٽائي سگهي ٿي.