Whakaritea SiC paninga Barrel Susceptor

Whakaritea SiC pania Barrel Susceptor Whakaahua Whakaatu

Whakaahuatanga Poto:

Ko te VET Energy he kaihanga ngaio me te kaiwhakarato o te SiC whakakikorua oko susceptor i Haina. Ka whakawhanake tonu matou i nga tikanga matatau ki te whakarato rauemi matatau ake, a kua mahia e matou he hangarau arai motuhake, e taea ai te hono i waenga i te paninga me te tïpako kia piri, kia iti ake te wariu ki te wehe. Nau mai ki te toro ki to maatau wheketere me te tumanako ki te noho hei hoa mo te wa roa i Haina.

Tukuna he imeera ki a matou Tikiake hei PDF

Taipitopito Hua

Tohu Hua

Te kaitaunaki okohe waahanga matua i roto i nga tukanga tipu epitaxial semiconductor penei i te MOCVD, MBE, CVD. Ka whakamahia te nuinga ki te kawe i nga angiangi i roto i nga ruuma tauhohenga teitei me te whakarato i tetahi taiao papaa wera me te pumau hei whakarite i te tuunga tika o nga paparanga epitaxial (pēnei i te GaN, SiC, me etahi atu). Ko tana mahi matua ko te whakatutuki i te riterite teitei o te pāmahana o te mata angiangi na roto i te mana o te mara waiariki, na reira ka whakarite i te matotoru, te kukū doping, me te riterite o te hanganga karaihe o nga kiriata kikokore epitaxial.

Ka whakamahia e matou o maatau hangarau arai ki te hanga i tekaitutei okohe tino parakore, he pai te whakakotahitanga o te paninga me te oranga ratonga pai rawa atu, me te nui o te aukati matū me nga taonga whakaahuru waiariki.

Ka whakamahi te VET Energy i te kauwhata parakore teitei me te paninga CVD-SiC hei whakarei ake i te pumau matū:

1. High parakore graphite rauemi
Te kaha o te waiariki: ko te whakamaarama wera o te graphite e toru nga wa o te silicon, ka tere te whakawhiti i te wera mai i te puna whakawera ki te angiangi me te whakapoto i te wa whakamahana.
Te kaha o te miihini: te pehanga graphite kiato ≥ 1.85 g/cm ³, he kaha ki te tu atu i nga wera teitei i runga ake i te 1200 ℃ me te kore he rereke.

2. CVD SiC paninga
He paparanga β - SiC ka hangaia i runga i te mata o te graphite e te waipara matū matū (CVD), me te ma o ≥ 99.99995%, he iti iho i te ± 5% te hapa riterite o te matotoru paninga, a he iti iho te taratara o te mata i te Ra0.5um.

3. Te whakapai ake i te mahinga:
Te parenga o te waikura: ka taea te tu atu i nga hau kino nui penei i te Cl2, HCl, me etahi atu, ka taea te whakaroa i te roanga o te GaN epitaxy e toru nga wa i te taiao NH3.
Te pūmautanga o te waiariki: Ko te whakarea o te roha waiariki (4.5 × 10-6/℃) ka rite ki te kauwhata hei karo i te pakaru o te paninga na te rerekee o te pāmahana.
Te Maamaa me te Whakaaetanga Kaahu: Ka eke te pakeke o Vickers ki te 28 GPa, he 10 nga wa teitei ake i te kauwhata ka taea te whakaiti i te tupono o nga rakuraku angiangi.

CVD SiC薄膜基本物理性能 Ko nga ahuatanga taketake o te CVD SiCpaninga
性质 / Taonga	典型数值 / Uara Angamaheni
晶体结构 / Hanganga Kiriata	FCC β wāhanga多晶，主要为（111）取向
密度 / Kiato	3.21 g/cm³
硬度 / Te pakeke	2500 维氏硬度（500g uta）
晶粒大小 / Raina witi	2~10μm
纯度 / Te Maamaa	99.99995%
热容 / Raukaha Wera	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Te Mahana Whakararo	2700 ℃
抗弯强度 / Te Kaha Toka	415 MPa RT 4-tohu
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt piko, 1300℃
导热系数 / ThermalTe kawe	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Roha Ngawha(CTE)	4.5×10^-6K^-1

Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd he hinonga hangarau teitei e arotahi ana ki te whakawhanaketanga me te hanga o nga rauemi matatau teitei, nga rauemi me te hangarau tae atu ki te graphite, te silicon carbide, te karaima, te maimoatanga o te mata penei i te paninga SiC, te paninga TaC, te paninga waro karaihe, te paninga waro pyrolytic, me era atu.

Ko ta matou roopu hangarau i ahu mai i nga umanga rangahau o-whare o runga, a kua whakawhanakehia e ratou nga hangarau arai maha hei whakarite i te mahi me te kounga o te hua, ka taea hoki te tuku otinga rauemi ngaio ki nga kaihoko.