କଷ୍ଟମାଇଜ୍ କରାଯାଇଥିବା SiC ଆବୃତ ବ୍ୟାରେଲ ସସେପ୍ଟର

ବ୍ୟାରେଲ ସସେପ୍ଟରଏହା MOCVD, MBE, CVD ଭଳି ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଏକ ମୁଖ୍ୟ ଉପାଦାନ। ଏହା ମୁଖ୍ୟତଃ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଚାମ୍ବରରେ ୱେଫରଗୁଡ଼ିକୁ ବହନ କରିବା ପାଇଁ ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରଗୁଡ଼ିକର ସଠିକ୍ ଜମା (ଯେପରିକି GaN, SiC, ଇତ୍ୟାଦି) ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ସମାନ ଏବଂ ସ୍ଥିର ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ପରିବେଶ ପ୍ରଦାନ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ। ଏହାର ମୁଖ୍ୟ କାର୍ଯ୍ୟ ହେଉଛି ସଠିକ୍ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ମାଧ୍ୟମରେ ୱେଫର ପୃଷ୍ଠ ତାପମାତ୍ରାର ଉଚ୍ଚ ସମାନତା ହାସଲ କରିବା, ଏହା ଦ୍ୱାରା ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପତଳା ଫିଲ୍ମଗୁଡ଼ିକର ଘନତା, ଡୋପିଂ ସାନ୍ଦ୍ରତା ଏବଂ ସ୍ଫଟିକ ଗଠନ ସମାନତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା।

ଆମେ ଆମର ପେଟେଣ୍ଟେଡ୍ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବ୍ୟବହାର କରି ଏହା ତିଆରି କରୁବ୍ୟାରେଲ ସସେପ୍ଟରଅତ୍ୟନ୍ତ ଉଚ୍ଚ ବିଶୁଦ୍ଧତା, ଭଲ ଆବରଣ ସମାନତା ଏବଂ ଏକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସେବା ଜୀବନ, ​​ସହିତ ଉଚ୍ଚ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା ଗୁଣ ସହିତ।

ରାସାୟନିକ ସ୍ଥିରତା ବୃଦ୍ଧି କରିବା ପାଇଁ VET ଶକ୍ତି CVD-SiC ଆବରଣ ସହିତ ଉଚ୍ଚ ବିଶୁଦ୍ଧତା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ବ୍ୟବହାର କରେ:

୧. ଉଚ୍ଚ ବିଶୁଦ୍ଧତା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ
ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ପରିବାହିତା: ଗ୍ରାଫାଇଟର ତାପଜ ପରିବାହିତା ସିଲିକନ୍ ଅପେକ୍ଷା ତିନିଗୁଣ, ଯାହା ଶୀଘ୍ର ତାପ ଉତ୍ସରୁ ୱେଫରକୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତରିତ କରିପାରେ ଏବଂ ଗରମ ସମୟକୁ କମ କରିପାରେ।
ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଶକ୍ତି: ଆଇସୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ଚାପ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଘନତା ≥ 1.85 ଗ୍ରାମ/ସେମି ³, ବିନା ବିକୃତିରେ 1200 ℃ ରୁ ଅଧିକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ସହ୍ୟ କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ।

2. CVD SiC ଆବରଣ
ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(CVD) ଦ୍ୱାରା ଗ୍ରାଫାଇଟର ପୃଷ୍ଠରେ ଏକ β - SiC ସ୍ତର ଗଠିତ ହୁଏ, ଯାହାର ଶୁଦ୍ଧତା ≥ 99.99995%, ଆବରଣ ଘନତାର ଏକରୂପତା ତ୍ରୁଟି ±5% ରୁ କମ୍, ଏବଂ ପୃଷ୍ଠର ରୁକ୍ଷତା Ra0.5um ରୁ କମ୍।

3. କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଉନ୍ନତି:
କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ: Cl2, HCl, ଇତ୍ୟାଦି ଉଚ୍ଚ କ୍ଷୟକାରୀ ଗ୍ୟାସକୁ ସହ୍ୟ କରିପାରେ, NH3 ପରିବେଶରେ GaN ଏପିଟାକ୍ସିର ଜୀବନକାଳ ତିନି ଗୁଣ ବୃଦ୍ଧି କରିପାରେ।
ତାପଜ ସ୍ଥିରତା: ତାପମାତ୍ରା ହ୍ରାସ ଯୋଗୁଁ ଆବରଣ ଫାଟିବା ଏଡାଇବା ପାଇଁ ତାପଜ ପ୍ରସାରଣର ଗୁଣାଙ୍କ (4.5 × 10-6/℃) ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସହିତ ମେଳ ଖାଏ।
କଠିନତା ଏବଂ ପରିଧାନ ପ୍ରତିରୋଧ: ଭିକରସ୍ କଠିନତା 28 GPa ରେ ପହଞ୍ଚିଥାଏ, ଯାହା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଅପେକ୍ଷା 10 ଗୁଣ ଅଧିକ ଏବଂ ୱେଫର ସ୍କ୍ରାଚ୍ ହେବାର ଆଶଙ୍କା ହ୍ରାସ କରିପାରେ।