Реттелетін SiC жабынымен қапталған бөшкеге арналған сенсор

Бөшке сенсорыMOCVD, MBE, CVD сияқты жартылай өткізгіш эпитаксиалды өсу процестерінің негізгі құрамдас бөлігі болып табылады. Ол негізінен жоғары температуралы реакция камераларында пластиналарды тасымалдау үшін қолданылады және эпитаксиалды қабаттардың (мысалы, GaN, SiC және т. Оның негізгі функциясы термиялық өрісті дәл бақылау арқылы пластинаның бетінің температурасының жоғары біркелкілігіне қол жеткізу болып табылады, осылайша эпитаксиалды жұқа қабықшалардың қалыңдығын, қоспа концентрациясын және кристалдық құрылымының біркелкілігін қамтамасыз етеді.

Біз патенттелген технологиямызды жасау үшін қолданамызбаррельді сезгішөте жоғары тазалықпен, жақсы жабын біркелкілігімен және тамаша қызмет ету мерзімімен, сонымен қатар жоғары химиялық төзімділік пен термиялық тұрақтылық қасиеттерімен.

VET Energy химиялық тұрақтылықты арттыру үшін CVD-SiC жабыны бар жоғары таза графитті пайдаланады:

1. Тазалығы жоғары графит материалы
Жоғары жылу өткізгіштік: графиттің жылу өткізгіштігі кремнийден үш есе жоғары, ол жылуды қыздыру көзінен вафлиге жылдам тасымалдай алады және қыздыру уақытын қысқартады.
Механикалық беріктігі: изостатикалық қысым графит тығыздығы ≥ 1,85 г/см³, деформациясыз 1200 ℃ жоғары жоғары температураға төтеп беруге қабілетті.

2. CVD SiC жабыны
Графит бетінде β - SiC қабаты химиялық булардың тұндыруымен (CVD) түзіледі, тазалығы ≥ 99,99995%, жабын қалыңдығының біркелкі қателігі ±5% -дан аз, ал бетінің кедір-бұдырлығы Ra0,5um-ден аз.

3. Жұмыс өнімділігін арттыру:
Коррозияға төзімділік: Cl2, HCl және т.
Термиялық тұрақтылық: Термиялық кеңею коэффициенті (4,5 × 10-6/℃) температура ауытқуларынан туындаған жабынның крекингін болдырмау үшін графитке сәйкес келеді.
Қаттылық пен тозуға төзімділік: Викерс қаттылығы 28 ГПа жетеді, бұл графиттен 10 есе жоғары және пластинаның сызаттар қаупін азайтады.