अनुकूलित SiC लेपित ब्यारेल ससेप्टर

ब्यारेल ससेप्टरMOCVD, MBE, CVD जस्ता अर्धचालक एपिटेक्सियल वृद्धि प्रक्रियाहरूमा यो एक मुख्य घटक हो। यो मुख्यतया उच्च-तापमान प्रतिक्रिया कक्षहरूमा वेफरहरू बोक्न र एपिटेक्सियल तहहरू (जस्तै GaN, SiC, आदि) को सटीक निक्षेपण सुनिश्चित गर्न एक समान र स्थिर थर्मल क्षेत्र वातावरण प्रदान गर्न प्रयोग गरिन्छ। यसको मुख्य कार्य सटीक थर्मल क्षेत्र नियन्त्रण मार्फत वेफर सतहको तापक्रमको उच्च एकरूपता प्राप्त गर्नु हो, जसले गर्दा एपिटेक्सियल पातलो फिल्महरूको मोटाई, डोपिंग एकाग्रता र क्रिस्टल संरचना एकरूपता सुनिश्चित हुन्छ।

हामी हाम्रो पेटेन्ट गरिएको प्रविधि प्रयोग गरेर यो बनाउँछौंब्यारेल ससेप्टरअत्यन्तै उच्च शुद्धता, राम्रो कोटिंग एकरूपता र उत्कृष्ट सेवा जीवन, साथै उच्च रासायनिक प्रतिरोध र थर्मल स्थिरता गुणहरू सहित।

रासायनिक स्थिरता बढाउन VET ऊर्जाले CVD-SiC कोटिंगको साथ उच्च शुद्धता ग्रेफाइट प्रयोग गर्दछ:

१. उच्च शुद्धता ग्रेफाइट सामग्री
उच्च तापीय चालकता: ग्रेफाइटको तापीय चालकता सिलिकनको भन्दा तीन गुणा बढी हुन्छ, जसले ताप स्रोतबाट वेफरमा द्रुत रूपमा ताप स्थानान्तरण गर्न सक्छ र ताप समय घटाउन सक्छ।
यान्त्रिक शक्ति: आइसोस्टेटिक दबाव ग्रेफाइट घनत्व ≥ १.८५ ग्राम/सेमी ³, विकृति बिना १२०० ℃ भन्दा माथिको उच्च तापक्रम सहन सक्षम।

२. CVD SiC कोटिंग
रासायनिक वाष्प निक्षेपण (CVD) द्वारा ग्रेफाइटको सतहमा β - SiC तह बनाइन्छ, जसको शुद्धता ≥ 99.99995% हुन्छ, कोटिंग मोटाईको एकरूपता त्रुटि ±5% भन्दा कम हुन्छ, र सतहको खुरदरापन Ra0.5um भन्दा कम हुन्छ।

३. कार्यसम्पादन सुधार:
क्षरण प्रतिरोध: Cl2, HCl, आदि जस्ता उच्च संक्षारक ग्याँसहरूको सामना गर्न सक्छ, NH3 वातावरणमा GaN एपिटाक्सीको आयु तीन गुणा बढाउन सक्छ।
तापीय स्थिरता: तापीय विस्तारको गुणांक (४.५ × १०-६/℃) तापमान उतारचढावका कारण हुने कोटिंग क्र्याक हुनबाट जोगाउन ग्रेफाइटसँग मेल खान्छ।
कठोरता र पहिरन प्रतिरोध: विकर्सको कठोरता २८ GPa पुग्छ, जुन ग्रेफाइट भन्दा १० गुणा बढी हो र यसले वेफर स्क्र्याचको जोखिम कम गर्न सक्छ।