ብጁ የሲሲ ሽፋን ያለው በርሜል ሱሴፕተር

የበርሜል ተውሳክእንደ MOCVD፣ MBE፣ CVD ባሉ ሴሚኮንዳክተር ኤፒታክሲያል የእድገት ሂደቶች ውስጥ ዋና አካል ነው። በዋናነት በከፍተኛ ሙቀት ምላሽ ክፍሎች ውስጥ ዋፈርዎችን ለመሸከም እና የኤፒታክሲያል ንብርብሮችን (እንደ GaN፣ SiC፣ ወዘተ) በትክክል ለማስቀመጥ የሚያስችል ወጥ የሆነ እና የተረጋጋ የሙቀት መስክ አካባቢ ለማቅረብ ያገለግላል። ዋናው ተግባሩ በትክክለኛ የሙቀት መስክ ቁጥጥር አማካኝነት ከፍተኛ ወጥነት ያለው የዋፈር ወለል ሙቀት ማግኘት ሲሆን በዚህም የኤፒታክሲያል ቀጭን ፊልሞች ውፍረት፣ የዶፒንግ ክምችት እና የክሪስታል መዋቅር ወጥነት ያረጋግጣል።

የፈጠራ ባለቤትነት ማረጋገጫ ቴክኖሎጂያችንን በመጠቀም ለመስራትየበርሜል ተከላካይእጅግ በጣም ከፍተኛ ንፅህና፣ ጥሩ የሽፋን ወጥነት እና እጅግ በጣም ጥሩ የአገልግሎት ዘመን፣ እንዲሁም ከፍተኛ የኬሚካል መቋቋም እና የሙቀት መረጋጋት ባህሪያት።

የቪኢቲ ኢነርጂ የኬሚካል መረጋጋትን ለማሻሻል ከፍተኛ ንፁህ ግራፋይት ከሲቪዲ-ሲሲ ሽፋን ጋር ይጠቀማል፡

1. ከፍተኛ ንፅህና ያለው የግራፋይት ቁሳቁስ
ከፍተኛ የሙቀት ማስተላለፊያ፡- የግራፋይት የሙቀት ማስተላለፊያ ከሲሊኮን ሶስት እጥፍ ይበልጣል፣ ይህም ሙቀትን ከማሞቂያ ምንጭ ወደ ዋፈር በፍጥነት ማስተላለፍ እና የማሞቂያ ጊዜን ማሳጠር ይችላል።
የሜካኒካል ጥንካሬ፡ የኢሶስታቲክ ግፊት ግራፋይት ጥግግት ≥ 1.85 ግ/ሴሜ ³፣ ከ1200 ℃ በላይ ከፍተኛ የሙቀት መጠንን ያለመበላሸት መቋቋም የሚችል።

2. የሲቪዲ ሲሲ ሽፋን
የኤ β-SiC ንብርብር በኬሚካላዊ የእንፋሎት ክምችት (CVD) አማካኝነት በግራፋይት ወለል ላይ ይፈጠራል፣ ≥ 99.99995% ንፁህ ሲሆን፣ የሽፋን ውፍረት ወጥነት ስህተት ከ±5% ያነሰ ሲሆን የገጽታ ሸካራነት ደግሞ ከRa0.5um ያነሰ ነው።

3. የአፈጻጸም ማሻሻያ፡
የዝገት መቋቋም፡ እንደ Cl2፣ HCl፣ ወዘተ ያሉ ከፍተኛ ዝገት ጋዞችን መቋቋም የሚችል፣ በNH3 አካባቢ የ GaN ኤፒታክሲ ዕድሜን በሦስት እጥፍ ሊያራዝም ይችላል።
የሙቀት መረጋጋት፡ የሙቀት መስፋፋት (4.5 × 10-6/℃) የሙቀት መለዋወጥ ምክንያት የሚፈጠረውን የሽፋን ስንጥቅ ለማስወገድ ከግራፋይት ጋር ይጣጣማል።
የጥንካሬ እና የአለባበስ መቋቋም፡ የቪከርስ ጥንካሬ 28 GPa ይደርሳል፣ ይህም ከግራፋይት በ10 እጥፍ የሚበልጥ ሲሆን የዋፈር ጭረቶችን አደጋ ሊቀንስ ይችላል።