Elementa Germkirina Waferê ya Seramîk AlN Alumina

Elementa Germkirina Waferê ya Seramîk AlN Alumina
Di çêkirina nîvconductoran de, pêdivî ye ku wafer di gelek pêvajoyan de werin hilberandin, wek mînak danîna fîlmên zirav, gravurkirin û hwd. Di van girêdanan de, pêdivî ye ku wafer heta germahiyek diyarkirî werin germ kirin, û ji bo germahiyê pêdiviyên hişk hene, ji ber ku yekrengiya germahiyê bandorek pir girîng li ser berhema hilberê dike, û pêkhateyên germkirinê neçar in.

Germkera seramîkrasterast li odeya pêvajoyê tê sepandin û rasterast bi waferê re di têkiliyê de ne. Ew ne tenê waferê hildigirin, lê di heman demê de piştrast dikin ku wafer germahiyek pêvajoyê ya sabît û yekreng bi dest dixe. Ew pêkhateyên sereke ne di alavên danîna fîlima tenik a nîvconductor de!

Germkera seramîk bingehek seramîk dihewîne ku waferê piştgirî dike û laşek piştgiriyê ya silindirî li aliyê paşîn ku wê piştgirî dike. Ji bilî hêmana berxwedanê (qata germkirinê) ji bo germkirinê, di hundir an li ser rûyê bingeha seramîk de elektrodên frekansa radyoyê (qata RF) jî hene. Ji bo ku germkirin û sarbûna bilez pêk were, divê qalindahiya bingeha seramîk zirav be, lê pir zirav dê hişkbûnê jî kêm bike.

Piştgiriya germkera seramîk bi gelemperî ji materyalê seramîk tê çêkirin ku koefîsyenteke berfirehbûna germî dişibihe ya bingehê. Germker ji bo parastina termînalan û têlan ji bandorên plazma û gazên kîmyewî yên korozîf, avahiyek bêhempa ya binê hevbeş a şaftê bikar tîne. Piştgir bi lûleyek ketin û derketina gaza veguhestina germê ve hatî çêkirin da ku germahiya yekreng a germkerê misoger bike. Bingeh û piştgirî bi qatek girêdanê bi awayekî kîmyewî ve girêdayî ne.

Germkera seramîk dikare ji seramîkên wekî nîtrîda alumînyûmê (AlN), nîtrîda silîkonê (Si3N4), û alumînayê (Al2O3) were çêkirin. Di nav wan de, AlN ji bo germkerên seramîk bijarteya herî baş e. Li gorî materyalên din, seramîka AlN ya VET Energy xwedî taybetmendiyên jêrîn e:
(1) Germahiya baş têrker e;
(2) Koefîsyenta berfirehbûna germî ya lihevhatî bi materyalên silîkonî yên nîvconductor re;
(3) Taybetmendiyên mekanîkî yên baş, berxwedana li hember xişandinê ya hêja, û taybetmendiyên mekanîkî yên berfireh ji oksîda berylliumê çêtir in û wekhevî oksîda aluminumê ne;
(4) Taybetmendiyên elektrîkê yên berfireh ên hêja, îzolasyona elektrîkê ya hêja û windabûna dielektrîkî ya kêm;
(5) Ne-jehrîn û hawirdorparêz.