Keramik-Wafer-Heizelement AlN-Aluminiumoxid

Keramik-Wafer-Heizelement AlN-Aluminiumoxid
Bei der Halbleiterherstellung müssen Wafer in verschiedenen Prozessen bearbeitet werden, beispielsweise durch Dünnschichtabscheidung oder Ätzen. Dabei müssen die Wafer auf eine bestimmte Temperatur erhitzt werden. An diese Temperatur werden strenge Anforderungen gestellt, da die Gleichmäßigkeit der Temperatur einen sehr großen Einfluss auf die Produktausbeute hat und Heizkomponenten unverzichtbar sind.

Keramikheizungwerden direkt in der Prozesskammer angebracht und stehen in direktem Kontakt mit dem Wafer. Sie tragen nicht nur den Wafer, sondern sorgen auch dafür, dass der Wafer eine stabile und gleichmäßige Prozesstemperatur erreicht. Sie sind Schlüsselkomponenten in Anlagen zur Halbleiter-Dünnschichtabscheidung!

Die Keramikheizung besteht aus einer Keramikbasis, die den Wafer trägt, und einem zylindrischen Trägerkörper auf der Rückseite, der ihn trägt. Neben dem Widerstandselement (Heizschicht) zum Heizen befinden sich auch Hochfrequenzelektroden (HF-Schicht) innerhalb oder auf der Oberfläche der Keramikbasis. Um ein schnelles Aufheizen und Abkühlen zu erreichen, sollte die Keramikbasis dünn sein. Eine zu dünne Schicht verringert jedoch auch die Steifigkeit.

Der Träger des Keramikheizers besteht in der Regel aus Keramikmaterial mit einem ähnlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie der Sockel. Der Heizer verfügt über eine einzigartige Wellenverbindungsbodenstruktur, um Anschlüsse und Drähte vor Plasma und korrosiven chemischen Gasen zu schützen. Der Träger ist mit einem Wärmeübertragungsgas-Ein- und -Auslassrohr ausgestattet, um eine gleichmäßige Temperatur des Heizers zu gewährleisten. Sockel und Träger sind durch eine Verbindungsschicht chemisch verbunden.

Der Keramikheizer kann aus Keramiken wie Aluminiumnitrid (AlN), Siliziumnitrid (Si3N4) und Aluminiumoxid (Al2O3) bestehen. AlN ist die beste Wahl für Keramikheizer. Im Vergleich zu anderen Materialien weist die AlN-Keramik von VET Energy folgende Eigenschaften auf:
(1) Gute Wärmeleitfähigkeit;
(2) Angepasster Wärmeausdehnungskoeffizient an Halbleitersiliziummaterialien;
(3) Gute mechanische Eigenschaften, ausgezeichnete Verschleißfestigkeit und umfassende mechanische Eigenschaften sind besser als Berylliumoxid und gleichwertig mit Aluminiumoxid;
(4) Hervorragende umfassende elektrische Eigenschaften, hervorragende elektrische Isolierung und geringer dielektrischer Verlust;
(5) Ungiftig und umweltfreundlich.