Calefactor Ceramicus Laminarum AlN Elementum Calefaciens Aluminae

Calefactor Ceramicus Laminarum AlN Elementum Calefaciens Aluminae
In fabricatione semiconductorum, laminae variis processibus, ut depositione tenuium pellicularum, corrosione, et cetera, tractandae sunt. In his nexibus, laminae ad certam temperaturam calefieri debent, et requisita temperaturae stricta sunt, quia uniformitas temperaturae momentum maximi momenti in reditu producti habet, et partes calefactionis necessariae sunt.

Calefactor ceramicusDirecte in cameram processus applicatur et cum lamella directe in contactu sunt. Non solum lamellam sustinent, sed etiam curant ut lamella temperatura processus stabilis et uniformis obtineatur. Sunt partes clavis in apparatu depositionis pellicularum tenuium semiconductorum!

Calefactor ceramicus basin ceramicam, quae crustulam sustinet, et corpus cylindricum in parte posteriori, quod eam sustentat, comprehendit. Praeter elementum resistentiae (stratum calefaciens) ad calefaciendum, etiam electroda radiofrequentiae (stratum RF) intra vel in superficie basis ceramicae inveniuntur. Ut celeris calefactio et refrigeratio efficiatur, crassitudo basis ceramicae tenuis esse debet, sed nimis tenuis etiam rigiditatem minuet.

Fulcrum calefactoris ceramici plerumque ex materia ceramica constat, cuius coefficiens expansionis thermalis basi similis est. Calefactor structuram singularem fundi articulationis axis habet, ut terminales et fila ab effectibus plasmatis et gasorum chemicorum corrosivorum protegat. Fulcrum tubo introitus et exitus gasis caloris transferentis instructum est, ut temperatura uniformis calefactoris conservetur. Basis et fulcrum strato glutinoso chemico coniunguntur.

Calefactor ceramicus ex ceramicis, velut nitrido aluminii (AlN), nitrido silicii (Si3N4), et alumina (Al2O3), fieri potest. Inter haec, AlN optima electio est pro calefactoribus ceramicis. Comparata cum aliis materiis, ceramica AlN a VET Energy sequentes proprietates habet:
(1) Bona conductivitas thermalis;
(2) Coefficiens expansionis thermalis materiis siliconicis semiconductoribus aptatus;
(3) Bonae proprietates mechanicae, praeclara resistentia attritionis, et proprietates mechanicae completae meliores sunt quam oxido beryllio et aequivalentes oxido aluminii;
(4) Proprietates electricae comprehensivae excellentes, insulatio electrica optima et iactura dielectrica humilis;
(5) Non toxicum et amicum ambienti.