Keramik Wafer Heizung AlN Aluminiumoxid Heizelement

Keramik Wafer Heizung AlN Aluminiumoxid Heizelement
An der Hallefleederproduktioun mussen Waferen a verschiddene Prozesser veraarbecht ginn, wéi zum Beispill Dënnschichtoflagerung, Ätzen, etc. An dëse Verbindungen mussen d'Waferen op eng bestëmmt Temperatur erhëtzt ginn, an et gëtt streng Ufuerderungen un d'Temperatur, well d'Uniformitéit vun der Temperatur e ganz wichtegen Afloss op d'Produktergebnis huet, an Heizkomponenten onverzichtbar sinn.

Keramikheizunggëtt direkt op d'Prozesskammer applizéiert a stinn a direkten Kontakt mam Wafer. Si droen net nëmmen de Wafer, mä suergen och dofir, datt de Wafer eng stabil an eenheetlech Prozesstemperatur kritt. Si sinn Schlësselkomponenten an der Hallefleeder-Dënnschicht-Oflagerungsausrüstung!

Den Keramik-Heizkierper enthält eng Keramikbasis, déi de Wafer ënnerstëtzt, an e zylindresche Stützkierper op der Récksäit, deen en ënnerstëtzt. Nieft dem Widderstandselement (Heizschicht) fir d'Heizung gëtt et och Radiofrequenzelektroden (HF-Schicht) an oder op der Uewerfläch vun der Keramikbasis. Fir eng séier Heizung an Ofkillung z'erreechen, soll d'Déckt vun der Keramikbasis dënn sinn, awer ze dënn reduzéiert och d'Steifheet.

D'Ënnerstëtzung vum Keramikheizung ass meeschtens aus Keramikmaterial mat engem thermeschen Ausdehnungskoeffizient ähnlech wéi dee vun der Basis. Den Heizung benotzt eng eenzegaarteg Struktur vun engem Welleverbindungsbuedem fir d'Klemmen an d'Drot virun den Effekter vu Plasma a korrosive chemesche Gasen ze schützen. D'Ënnerstëtzung ass mat engem An- an Auslaafrouer fir Wärmetransfergas ausgestatt fir eng gläichméisseg Temperatur vum Heizung ze garantéieren. D'Basis an d'Ënnerstëtzung sinn chemesch mat enger Bindungsschicht verbonnen.

Den Keramikheizgerät kann aus Keramik wéi Aluminiumnitrid (AlN), Siliziumnitrid (Si3N4) an Aluminiumoxid (Al2O3) gemaach ginn. Dorënner ass AlN déi bescht Wiel fir Keramikheizgeräter. Am Verglach mat anere Materialien huet d'AlN-Keramik vu VET Energy déi folgend Charakteristiken:
(1) Gutt Wärmeleitfäegkeet;
(2) Ugepassten thermeschen Ausdehnungskoeffizient un Halbleiter-Siliciummaterialien;
(3) Gutt mechanesch Eegeschaften, exzellent Verschleißbeständegkeet a komplett mechanesch Eegeschafte si besser wéi Berylliumoxid a gläichwäerteg mat Aluminiumoxid;
(4) Excellent ëmfaassend elektresch Eegeschaften, exzellent elektresch Isolatioun a geréngen dielektresche Verloscht;
(5) Net gëfteg an ëmweltfrëndlech.